mosfet驱动电路类型的研究与测试.pdfVIP

中国海洋大学信息科学与工程学院程凯孙凤超 引言 ②为使MOSFET可靠导通，栅极 和CMOS驱动等；隔离型驱动包括光 MOSFET是一种多子导电的单 T 电压(驱动电压)应高于开启电压U 耦隔离和磁耦合隔离两种形式。 极性电压控制器件，具有开关速度 (3～5V)，为减小导通电阻及导通损 1推挽式直接驱动电路 快、输入阻抗高、驱动功率小、热稳 耗，应在不超过栅极击穿电压的前提 推挽式驱动是最常用的直接驱动 定性好、安全工作区宽、无二次击穿 下尽量加大栅极驱动电压。 方式之一，适用于不要求隔离的小功 等优点，在诸多领域中获得了越来越 ③为加速关断，在关断时建立负 率开关设备。它采用一对NPN$1JPNP 广泛的应用。为了适应不同场合下的 的栅源电压，并给输入电容提供低阻 晶体管搭建而成，可以实现导通