sic肖特基势垒二极管的反向特性 reverse properties of sic schottky barrier diodes.pdfVIP

与 纳米器件技术 Nanoelect ronic Device Technology 肖特基势垒二极管的反向特性 犛犻犆 １ １ １ ２ １ １ 杨霏，闫锐，陈昊，张有润，彭明明，商庆杰， 　 　 　 １ １ １ １ １ 李亚丽，张雄文，潘宏菽，杨克武，蔡树军 专用集成电路国家级重点实验室石家庄 （ ， ； １． ０５００５１ 　 ， ） ２．电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室成都　６１００５４ ： （）， 摘要在型 衬底上的型同质外延层的面制备了纵向肖特基势垒二极管 ｎ４ＨＳｉＣ ｎ Ｓｉ ＳＢＤ 研究了场板、场限环及其复合结构等不同终端截止结构对于反向阻断电压与反向泄漏电流的影 响场板 结构有利于提高反向阻断电压减小反向泄漏电流当场板长度从 变化到 。 （） ， 。 ＦＰ ５ｍ μ 反向阻断电压随着场板长度的增加而增加 厚度对于反向阻断电压有重要的影响 ， 。 ， ２５ｍ ＳｉＯ μ ２ 当厚度为 ，即大约为外延层厚度的／时，可以得到较大的反向阻断电压。当场限环的 ０５ｍ １２０ μ 离子注入区域宽度从 变化到 ，反向阻断电压也随之增加。 和 复合结构对于 １０ｍ ７０ｍ ＦＬＲＦＰ μ μ 改善反向阻断电压以及反向泄漏电流都有作用，同时反向阻断电压对于场板长度不再敏感。采用 复合结构，在 反向泄漏电流下最高阻断电压达到 。讨论了离子注入剂量对于反向 １０Ａ １３００Ｖ μ 阻断电压的影响注入离子剂量和反向电压的关系表明 结构不同于传统 结构的要求 ， ＳＢＤ ＰＩＮ 。 当采用大约为