vls机制下sic晶须的生长 growth of sic whiskers by vls mechanism.pdfVIP

下载本文档

1
0
约 3页
2017-08-31 发布于上海
举报
版权申诉

vls机制下sic晶须的生长 growth of sic whiskers by vls mechanism.pdf

1、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

vls机制下sic晶须的生长 growth of sic whiskers by vls mechanism

纳米材料与结构 NanomateriaIStructure VLS机制下SiC晶须的生长王茳，刘兴钊，邓新武 (电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室，成都610054) 研究了基片表面的气流状况、生长温度和反应室总气压等对SiC晶须形貌的影响。研究结果表明：当基片表面存在较强的平流状态时，以生长SiC薄膜为主，很难形成晶须；生长温度及反应室总气压对晶颁的直径有较大影响，合适的生长温度以厦较高的总压有利于晶须的生长。关键词：化学气相沉积法；气．液一目机制；碳化硅晶须 GrowthofSiCWhiskersVLSMechanism by WANG Xin-wu Jiang，LIUXing-zhao，DENG Lab ElectronicThinFdmsand (s蛾Keyof Integr疵dDevwes，University矿肪c蛳mkience埘dTechnolosy旷China ∞硒‘610054，Ch／na) Abstract：Sihcon Wele chemical carbide(SiC)whiskerssynthesizedby vapordeposition(CVD) the effectofthe via techniquevapor-liquid-solid(vI．S)mechanism．Thegrowthtemperature，the total inthereactionchamberandthe flowratenearthesubstratewasstudied．The pressure gas rate resultsshowthatlow flow nearthesubstrateis inSiCwhiskers gas necessary growth．Ap· total inthe for and reactionchtunberaTesuitable propfiategrowth higher pressure temperature SiC whiskers growth． words：CVD whisker Key technique；VLSmechanism；SiC 备了SiC晶须，并研究了一些生长条件对晶须形貌 1 引言的影响。 SiC晶须是一种直径为Rm级至斗m级的短纤 2实验维状单晶体，具有密度小、耐高温、模量大、硬度高等优点，而且还具有非常稳定的化学性质，抗氧采用CVD法生长SiC晶须，以H2为载气，sil丑化、耐腐蚀，是可用于金属基、陶瓷基和高臻物和c地为反应气体。载气的流量为5(10e一·rain。，基等复合材料的优良增强剂，目前已被广泛应用 C地和Si地的流量分别为6cm3·minq和3aI，·min4