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2017-08-31 发布于上海
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从特征尺寸的缩小看光刻技术的发展 trends of lithography technology based on decreasing of the feature size.pdf

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从特征尺寸的缩小看光刻技术的发展 trends of lithography technology based on decreasing of the feature size

显徼、测量、徽细加工技术与设备从特征尺寸的缩小看光刻技术的发展孙磊，戴庆元，乔高帅，吴日新 (上海交通大学微纳科学技术研究院，上海200240) nm节点的主摘要：从特征尺寸不断缩小变化的角度阐述了近代光刻技术发展的历程。指出90 am nm和45 流光刻技术是193 ArF光刻；193am浸入式光刻技术作为65 nm节点的首选光刻技术，如果配舍二次曝光技术，还可以扩展到32nm节点的应用，但成本会增加；如果特征尺寸缩小到22am和16nm节点，EUV光刻、无掩模光刻以及纳米压印光刻等将成为未来发展的重要研究方向。在对各种光刻技术的原理、特点以及优缺点等分析对比的基础上，对未来主流光刻技术的发展做了一定的展望。关键词：浸入式光刻；EUV光刻；无掩模光刻，纳米压印光刻；特征尺寸文献标识码：A 文章编号：1671—4776(2009)03—0186—05 中图分类号：TN305．7 of Basedon oftheFeatureSize Trends TechnologyDecreasing Lithography Rixin Sun Gaoshuai．Wu Lei，DaiQingyuan，Qiao Scienceand 200240·China) (ResearchInstituteMicro／Nano Technology，ShanghaiJiaoTongUniversity，Shanghai of feature oflatestadvanced Abstract：Basedonthe ofthe size，the lithography decreasing history andthemainstream foreachfeaturesizearesummarized．193ArF techniques lithog— lithography nm 193nmimmersion is isthecore for90 nodes，while raphy technique lithographywidely asthefirstchoicefor65nmand45am withdouble accepted nodes．Combiningpattering，it withthecost wouldbeevenextendedtO32nmnode lithogra— willbecomethemain for