非制冷980 nm半导体激光器封装设计与热特性分析 design and thermal characteristics analysis of uncooled 980 nm semiconductor laser packaging.pdfVIP

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2017-08-31 发布于上海
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非制冷980 nm半导体激光器封装设计与热特性分析 design and thermal characteristics analysis of uncooled 980 nm semiconductor laser packaging.pdf

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非制冷980 nm半导体激光器封装设计与热特性分析 design and thermal characteristics analysis of uncooled 980 nm semiconductor laser packaging

第36卷第4期中国激 2009年4月 CHINESE OFLASERS April·2009 J()URNAL 文章编号：0258—7025(2009)04—0799-05 tP$Il冷980am半导体激光器封装设计与热特性分析武斌李毅胡双双蒋群杰王海方 (上海理工大学光学与电子信息工程学院，上海200093) 摘要针对非制冷980llm半导体激光器组件的封装结构，对采用倒装贴片封装的激光器模块内部芯片外延层、热 nm半导体激光器在连续沉和焊料层进行了优化没计，运用有限无法(FEM)对微型双列直插(mini—DIL)非制冷980 波(Cw)驱动条件下的热场分布进行了模拟计算。对比了倒装贴片和正装贴片的激光器热特性，并对实际封装的 am半导体激光器的输出光谱在0～70℃时中心波长漂移仅激光器光电性能进行了测试。倒装贴片型非制冷980 为0．2nm。半峰全宽(FWHM)小于1．6nm，边模抑制比(SMSR)保持在45dB以上，最大出纤功率达200mw。研究 nm半导体激光器在热稳定性和光电性能方面都有较大提高，能够满足高性能小结果表明。倒装贴片的非制冷980 型化掺铒光纤放大器对非制冷980nm半导体激光器的性能要求。关键词激光器；980Sill半导体激光器；倒装贴片；热特性；有限元中图分类号TN248．4文献标识码 A doi：10．3788／CJ0799 andThermalCharacteristicsofUncooled Design Analysis 980amSemiconductorLaser Packaging WuBinLiYiHu ShuangshuangJiangQunjieWangHaifang andElectronic Collegeof Information ， Optical Engineering，、 Scienceand 200093。China／＼UniversityofShanghaifor Technology。Shanghai Abstract tothe structureofuncooled980amsemiconductorlasermodule，the Accordingpackaging chipepitaxiai heat sinkandsolder inthe bondedlasersmodulewere the layer。heat layer epitaxy(epi)·down designed，and distributionofmini．dualinline(DIL)uncooled980nmsemiconductorlaserunderthe con