硅纳米管结构和电子性质的第一性原理研究 first principle study on the structure and electronic property of si nanotubes.pdfVIP

下载本文档

21
0
约2.02万字
约 5页
2017-08-31 发布于上海
举报
版权申诉

硅纳米管结构和电子性质的第一性原理研究 first principle study on the structure and electronic property of si nanotubes.pdf

1、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

硅纳米管结构和电子性质的第一性原理研究 first principle study on the structure and electronic property of si nanotubes

材料与结构 MaterialsandStructures 硅纳米管结构和电子性质的第一性原理研究罗强h，张强h，张智仆，唐斌h，冉曾令2 (1．西南石油大学a．理学院；b．油气藏地质及开发工程国家重点实验室，成都610500； 2．电子科技大学通信与信息工程学院，成都611731) 摘要：基于密度泛函理论的第一性原理方法，在广义梯度近似下，研究了(5，0)和(5，5)硅纳米管结构和电子性质。计算结果表明：(5，0)管硅原子相邻键长波动范围为0．068nm，大于 (5，5)管的0．006nm；通过对(5，o)管的分波态密度进行分析发现，其3s电子和2p电子能量分布在一13～3eV，但2p电子集中分布在能量较高的一6～3eV，出现了明显的sp3轨道杂化。同时对(5，0)和(5，5)硅纳米管最高占据轨道和最低未占据轨道的能隙进行了分析，发现两种管导电性能与结构的手性相关，锯齿型(5，0)管能带交叠具有明显的金属性，而扶手型 (5，5)管能隙为0．151eV是半导体纳米管。关键词：第一性原理；硅纳米管；态密度；手性；能隙中图分类号：0561；TB383 ontheStructure First and PrincipleStudy ElectronicofSiNanotubes Property Luo Bin“，Ran Zhi仆，Tang Qiangh，ZhangQiang“，Zhang Zenglin92 andGasReservoir Science；b．State Oil and (1．a．Collegeof KeyLaboratoryof GeologyExploitation， Petroleum 610500，China；2．SchoolCommunicationand Southwest University，Chengdu of Jn，0rmation Electronics China，Chengdu611731，China) Engineering，Universityof ScienceTechnologyof thefirst methodbasedon function struc— Abstract：Usingprinciples density theory(DFT)，the electronic nanotubeswere withthe turesand of(5，0)and(5，5)siliconcalculated properties resultsthatthe calculatedshow fluctuationofthe generalizedgradientapproximation．The range bond of Si—Sifor