阵列工程主要不良解析、对策-点缺陷不良.ppt

Array工程常见不良——点缺陷 目 录 a-Si残留模式 PI图形异常模式 D、G图形异常模式 绝缘层保护层异常模式 S-D相关模式 其他模式 ■ a-Si残留模式——片状a-Si残留 片状a-Si残留 怀疑起因：D1WE后，I-DE刻蚀前片状异物掉落，或者I-DE设备内片状异物掉落 线状a-Si残留 怀疑起因：D1WE后，I-DE刻蚀前线状异物掉落，或者I-DE设备内线状异物掉落 ■ a-Si残留模式——线状a-Si残留 碟状a-Si残留 怀疑起因：D1WE后，I-DE刻蚀前金属离子异物掉落在基板表面 ■ a-Si残留模式——碟状a-Si残留 PR系a-Si残留 怀疑起因：PR异物、显影液、光刻胶异常。 ■ a-Si残留模式——PR系a-Si残留 水渍a-Si残留 怀疑起因：SP膜厚异常、D1WE刻蚀残留起因。 ■ a-Si残留模式——PR系a-Si残留 ITO缺失 怀疑起因：PI-PR异物 ■ PI图形异常模式——ITO缺失 有核已脱落 怀疑起因：PI-SP前或设备内异物掉落 ■ PI图形异常模式——ITO残留 ITO残留（圆形） 怀疑起因：PI-PR异物掉落 ITO残留（线状、片状） 怀疑起因：PI-PR异物掉落 ■ PI图形异常模式——ITO残留 有核圆形模式 怀疑起因：成膜前异物掉落 ■ D、G图形异常——有核圆形模式 无核圆形模式 怀疑起因：PR异物掉落 ■ D、G图形异常——无核圆形模式 无核片状模式 怀疑起因： PR异物掉落 ■ D、G图形异常——无核片状模式 TFT层缺失模式 怀疑起因：TFT-CVD前或者设备内异物掉落 ■ 绝缘层保护层异常模式——TFT缺失模式 PA异物模式 怀疑起因：PA-CVD前或者设备内异物掉落 ■ 绝缘层保护层异常模式——PA异物 接触孔缺失模式 怀疑起因：C-PR异物掉落或者C-DE异物掉落 ■ 接触孔缺失模式 Open与short 怀疑起因： 曝光起因 ■ S-D相关 其他模式 怀疑起因： 其他起因 ■ 其他模式