介质壁加速器用GaAs光导开关的通态电阻测量-太赫兹科学与电子.PDF

第 11 卷 第 6 期 太赫兹科学与电子信息学报 Vo1．11，No．6 2013 年 12 月 Journal of Terahertz Science and Electronic Information Technology Dec．，2013 文章编号：2095-4980(2013)06-0867-04 介质壁加速器用 GaAs 光导开关的通态电阻测量 谌 怡 a,b ，刘 毅 a,b ，王 卫 a,b ，夏连胜 a,b ，张 篁 a,b ，石金水 a,b ，章林文 a,b ( 中国工程物理研究院 a. 流体物理研究所；b.脉冲功率科学与技术重点实验室，四川 绵阳 621999) 摘 要 ：GaAs 光导开关可作为紧凑型脉冲功率系统的主要器件，如光导开关在介质壁加速器 中的应用。为了研究通态电阻对开关性能的影响，采用平板传输线和同轴电缆作为脉冲形成线， 测量了 3 mm 电极间隙的 GaAs 光导开关的通态电阻。测量结果表明：电极间隙为 3 mm 的 GaAs 光 导开关的通态电阻为 14.9 Ω ，光导开关通态电阻的存在将导致开关热损伤，降低脉冲功率系统的 电压输出能力，缩短 GaAs 光导开关的使用寿命。 关键词 ：GaAs 光导开关；平板传输线；同轴电缆；通态电阻；热损伤 中图分类号 ：TN78 文献标识码 ：A doi ：10.11805/TKYDA201306.0867 Measurement of on-resistance of GaAs photoconductive semiconductor switch in Dielectric Wall Accelerator a,b a,b a,b a,b a,b a,b a,b SHEN Yi ，LIU Yi ，WANG Wei ，XIA Lian-sheng ，ZHANG Huang ，SHI Jin-shui ，ZHANG Lin-wen (a.Institute of Fluid Physics；b.Key Laboratory of Pulsed Power， China Academy of Engineering Physics， Mianyang Sichuan 621999，China) Abstract： GaAs Photoconductive Semiconductor Switch(PCSS) can be the main element in compact pulse power system, especially in Dielectric Wall Accelerator(DWA). The on-resistance of 3 mm gap GaAs PCSS is measured by using planar transmission line and coaxial-cable in order to study the effect of switch on-resistance on the switch performance. The results show that the measured on -resistance of GaAs switch is 14.9 Ω. The on-resistance of PCSS will cause the thermal damage to the switch,