半导体三极管及其基本放大电路半导体三极管.PPT

* 第 2 章 半导体三极管 (Semiconductor Transistor) 2.1 双极型半导体三极管 2.1.1 晶体三极管 一、结构与符号 N N P 发射极E 基极B 集电极C 发射结 集电结 — 基区 — 发射区 — 集电区 emitter base collector NPN型 E C B P P N E B C E C B PNP型 分类： 按材料分：硅管、锗管 按结构分：NPN、PNP 按使用频率分 高频管 低频管 按功率分 小功率管 500 mW 中功率管 500 mW ?1 W 大功率管 1 W 第二章 半导体三极管 二、电流放大原理 1. 三极管放大的条件 内部 条件 发射区掺杂浓度高 基区薄且掺杂浓度低 集电结面积大 外部 条件 发射结正偏 集电结反偏 2. 满足放大条件的三种电路 ui uo C E B E C B ui uo E C B ui uo 共发射极 共集电极 共基极 实现电路 ui uo RB RC uo ui RC RE 第二章 半导体三极管 3. 三极管内部载流子的传输过程 1) 发射区向基区注入多子电子， 形成发射极电流 IE I CN （基区空穴运动因浓度低而忽略） 2) 电子到达基区后 大部分向BC结方向扩散，形成ICN I E 少部分与空穴复合，形成 IBN 。 I BN 基区空穴来源： 基极电源提供( IB ) 集电区少子漂移 (ICBO) I CBO I B I BN ? I B + I CBO 即： IB = IBN – ICBO 3) 集电区收集扩散过来的载流子形成集电极电流 I C I C I C=ICN +ICBO 第二章 半导体三极管 4. 三极管的电流分配关系 当管子制成后，发射区载流子浓度、基区宽度、集电结 面积等确定，故电流的比例关系确定，即： IB = I BN ? ICBO IC = ICN + ICBO IE = IC + IB 穿透电流 第二章 半导体三极管 2.1.2 晶体三极管的特性曲线 一、输入特性 输入 回路 输出 回路 与二极管特性相似 RC VCC iB IE RB + uBE ? +uCE ? VBB C E B iC + ? + ? + ? iB RB + uBE ? VBB + ? VBB + ? O 特性基本重合（电流分配关系确定） 特性右移（因集电结开始吸引电子） 导通电压 UBE（on） Si 管: 0.6 ? 0.8 V Ge管: 0.2 ? 0.3 V 取 0.7 V 取 0.2 V 第二章 半导体三极管 二、输出特性 iC / mA uCE /V 50 μA 40μA 30 μA 20 μA 10 μA IB =0 O 2 4 6 8 4 3 2 1 放大区 截止区 饱 和 区 1. 截止区： I B ? 0 的区域 条件：两个结反偏 2. 放大区： 条件：发射结正偏 集电结反偏 特点：水平、等间隔 3. 饱和区： uCE ? u BE uCB = uCE ? u BE ? 0 条件：两个结正偏 特点： 1) I C ? ? IB 2) 临界饱和： 3) 深度饱和： U CE（SAT）= 0.3 V (硅管) U CE（SAT）= 0.1 V (锗管) uCE = uBE 第二章 半导体三极管 三、温度对特性曲线的影响 1. 温度升高,输入特性曲线向左移 温度每升高1?C，UBE ? 2 ? 2.5 mV 温度每升高10 ?C，ICBO 约增大1倍 2. 温度升高,输出特性曲线向上移 O T2 温度每升高1 ?C，? ?0.5% ? 1% 输出特性曲线间距增大 iC uCE T2 T2 iB = 0 第二章 半导体三极管 T2 2.1.2 晶体三极管的主要参数 一、电流放大系数 1. 共发射极电流放大系数 iC / mA uCE /V 50 μA 40μA 30 μA 20 μA 10 μA IB =0 O 2 4 6 8 4 3 2 1 — 直流电流放大系数 ? — 交流电流放大系数 一般为几十 ? 几百 P33 例2.1.2 2. 共基极电流放大系数 ? ? 1 一般为 0.95 ? 0.99 二、极间反向饱和电流 CB间反向饱和电流 ICBO CE间反向饱和电流 ICEO 第二章 半导体三极管 iC ICM U(BR)CEO uCE PCM O ICEO 安 全 工 作