第六章等效电路,影响阈值电压的因素.pptVIP

* Physics of Semiconductor Devices * Physics of Semiconductor Devices MOS场效应晶体管 §6.6、6.8、6.9 1、等效电路 2、频率响应 3、MOSFET的类型 4、影响阈值电压的其他因素 （1）掺杂浓度 （2）氧化层厚度 （3）衬底偏置 Outline MOSFET的小信号特性是指在一定工作点上，输出端电流的微小变化与输入端电压的微小变化之间有定量关系。这是一种线性变化关系，可以用线性方程组描述小信号特性，其中不随信号电流和信号电压变化的常数即小信号参数。 一 等效电路小信号参数 定义： 1. 线性导纳 在线性区的电阻称为开态电阻或导通电阻，可表示为： 在UDS较小时， gdl与UDS无关。随着UDS的增大，但还未到饱和区， gdl将会减小。此时有： 不可忽略 2. 跨导 线性区： 饱和区： 饱和区的跨导与线性区的导纳相等 3. 饱和区的漏极电阻 理想情况下，对于任何超过夹断条件的漏极电压，漏极电流为常数（电流与电压无关）。即对于VDVDsat时的情况，漏极电阻为无限大。饱和区漏极电阻定义为： 饱和区电导gds 在理想情况，若不考虑沟道长度调制效应， IDS与UDS 无关。饱和工作区的gds应为零，即输出电阻为无穷大。 gds ＝0 对于实际MOSFET，饱和区输出特性曲线总有一定的倾斜，使输出电