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B. CVD工艺流程与基本装置 4.CVD法的特点 * 物理气相沉积法(Phsical Vapor Deposition，PVD) ：系统中不发生化学反应，也称蒸发－凝聚法。 化学气相沉积法(Chemical Vapor Deposition, CVD)：利用气相化学反应来制备材料。 气相聚合 气相法 液相法 固相法 3.2 工艺过程与方法 整个材料领域中，可分为3大类： 1.物理气相沉积法(PVD) 利用电弧、高频电场or等离子体等高温热源将原料 加热 高温→气化/等离子体 骤冷 凝聚成各种形态(如晶须、薄片、晶粒等) 。包括3个步骤： 蒸汽的产生：简单的蒸发和升华or阴极溅射方法。 通过减压使气化材料从供给源转移到衬底。 在衬底上发生凝结。 PVD法制备薄膜材料 在一定的基体表面制备膜层，由元素和化合物从蒸气相凝结而成。膜沉积技术的基本类型有： (1)真空沉积法(真空蒸镀) (2)溅射法：利用溅射现象使飞出的原子团or离子在对面基片上析出的方法。 (3)离子镀法： 蒸镀工艺与溅射技术的结合(较新)，基本原理与真空沉积法相同. 都是在真空条件下实现的。 PVD能在很宽T范围内进行，可适用于玻璃和塑料的镀膜。 图3?10 真空蒸镀设备的示意图 (1)真空沉积法(真空蒸镀)：很早就用于电容器、光学薄膜、塑料等的真空蒸镀、沉积膜等，近年用于塑料表面镀金属。 机理十分简单，金属元素or化合物在真空中蒸发or升华，使之在基片表面上析出并附着的过程。设备(图3?10)。许多物质都可制膜，蒸镀多种元素可获得一定配比的合金薄膜。 第三章 材料的制备方法 B. PVD法制备超细粉体材料 可制备单一氧化物、复合氧化物、碳化物or金属等微粉。特别适用于制备液相法和固相法难以直接合成的非氧化物系列(金属、合金、氮化物、碳化物等)的超细粉，粒径通常＜0.1?m，且分散性好。 真空蒸发法是目前用PVD法来制备超细粉理论上研究最多和制备超细粉最常用的方法之一。 优点：可通过输入惰性气体和改变P载气来调节微粒的大小、表面光洁度和粒度均匀性。也存在形状难控制、最佳工业条件难以掌握等问题。 2.化学气相沉积法(CVD) A. CVD法原理：涉及反应化学、热力学、动力学、转移机理、膜生长现象和反应工程。以金属蒸气、挥发性金属卤化物、氢化物or金属有机化合物等蒸汽为原料 气相热分解反应， or≥2种单质or化合物的反应 凝聚生成 各种形态的材料。可制多种组成的材料：单质、化合物、氧化物、氮化物、碳化物等 CVD法的反应类型：热分解、化学合成(氢还原、氧化、水解、固相、置换) CVD法的分类：热CVD法、等离子体CVD法、光子增强CVD法、激光CVD法 CVD的原料种类：卤化物、氢化物、有机金属化合物等 B. CVD工艺流程与设备 C. 影响参数：反应体系成分、气体组成、P、T等 D. CVD法的特点：10点p110 析出CVD涂层的模型图 温度 反应气体浓度 距 离 基片 扩散层 反应气体 从混合气中析出CVD涂层的沉积过程可理解为由几个过程构成: 原料气体向→基片表面扩散； 原料气体吸附到→基片上； 进行表面反应 析出颗粒在表面的扩散； 产物从气相→分离； 从产物析出区向→块状固体的扩散。 第三章 材料的制备方法 从气相析出固相的驱动力(driving force)： 基体材料和气相间的扩散层内存在的温差?T； 不同化学物质的浓度差； 由化学平衡所决定的过饱和度。 不同T析出和过饱和度将引起的析出物质的形态变化图3?14，实际应用中可根据反应条件的不同→薄膜、晶须、晶粒、颗粒和超细粉体等不同形态的材料。 图3-14 CVD法所得产物的形态与T析出和过饱和度的关系 用外延生长法生长的单晶 板状单晶 针状单晶 树枝状多晶 柱组织的多晶（一般具有较强的结晶取向） 微粒多晶 非晶质 由均相成核产生的粉末 高　　　　 析出温度　 　　低 低　　 　 过饱和度　　　 高 尽管CVD种类不同，但工艺流程基本上相同。CVD设备大多可分为4部分：　 室温下呈气态的原料从高压贮气瓶通过纯化装置直接输入CVD反应炉; 液体or固体原料则需要使其在所规定的温度下蒸发or升华，并通过Ar、He、N2、H2等载气送入反应炉内; 废气必须通过放有吸收剂的水浴瓶、收集器或特殊的处理装置后进行排放。 (1)反应室; (2)加热系统; (3)气体控制系统 (4)排气系统。 CVD的基本工艺流程示意图 高压气体 泵 气体混合 高压原料气体 原料蒸发、升华器 流量调节、测定器 气体纯化装置 反