单层SbAs和BiSb的表面修饰调控-物理学报.PDF

单层SbAs和BiSb的表面修饰调控 袁俊辉 谢晴兴 余念念 王嘉赋 EffectsofsurfaceregulationonmonolayersSbAsandBiSb YuanJun-Hui XieQing-Xing YuNian-Nian WangJia-Fu 引用信息Citation: ActaPhysicaSinica, ,217101(2016) DOI: 10.7498/aps.65.217101 在线阅读Viewonline: /10.7498/aps.65.217101 当期内容Viewtableofcontents: /CN/Y2016/V65/I21 您可能感兴趣的其他文章 Articlesyoumaybeinterestedin 单层二硫化钼多相性质及相变的第一性原理研究 First-principlesstudyonmultiphasepropertyandphase transition of monolayer MoS 物理学报.2016,65(12): 127101 /10.7498/aps.65.127101 B,N协同掺杂金刚石电子结构和光学性质的第一性原理研究 First-principlestudiesoftheelectronicstructuresandopticalpropertiesofdiamondcrystalco-dopedwith BandN 物理学报.2016,65(8): 087101 /10.7498/aps.65.087101 Cr,Mo,Ni在-Fe(C) 中的键合性质及对相结构稳定性的影响 ThebondcharactersandphasestabilityeffectsofCrMo and Niin bulk -Fe(C) 物理学报.2016,65(3): 037101 /10.7498/aps.65.037101 Y 掺杂ZnO最小光学带隙和吸收光谱的第一性原理研究 OpticalbandgapandabsorptionspectraofYdopedZnO studied by first-principlecalculations 物理学报.2016,65(3): 037103 /10.7498/aps.65.037103 稀土(La/Ce/Pr/Nd)掺杂锐钛矿相TiO 磁性及光催化活性的第一性原理研究 First-principlestudyofthemagnetismandphotocatalyticactivityofRE(La/Ce/Pr/Nd)dopinganataseTiO 物理学报.2016,65(3): 037102 /10.7498/aps.65.037102 物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 65, No. 21 (2016) 217101 单层SbAs和BiSb 的表面修饰调控 袁俊辉 谢晴兴 余念念 王嘉赋 (武汉理工大学理学院, 武汉 430070) ( 2016 年5 月28 日收到; 2016 年7 月14 日收到修改稿) 基于密度泛函理论的第一性原理计算, 研究了V 族二维层状材料SbAs 和BiSb 在全氢化和全氟化后体系 的晶体结构、稳定性和电子结构. 计算结果表明, 全氢化后SbAs 和BiSb 由buckled 结构转变为准平面结构, 而全氟化后则转变为low-buckled 结构. 同时, 本征、全氢化和全氟化的SbAs 和BiSb 均具有很好的稳定性, 具 备实验合成的可能性. 电子结构的分析表明, 全氢化和全氟化后SbAs 和BiSb 均由宽带隙半导体转变为窄带 隙的直隙半导体, 且其能带结构仍具有很好的线性色散. 通过对准平面和low-buckled 结构SbAs 和BiSb 电子 结构的进一步分析, 揭示了全氢化和全氟化后体系能带变化的原因. 在h-BN 衬底上的计算结果显示, 由于两 者间的弱耦合作用, 使得全氢化和全氟化SbAs 的直隙半导体特征得以保留, 表明其在未来光电子设备等领域 中具有广泛的应用前