半导体光电材料概述、半导体物理基础-天津大学研究生e-Learning平台.ppt

能带理论 近自由电子近似 能带 和 的关系 能带理论 紧束缚近似 电子紧束缚在原子上的情形，适用于过渡金属中的3d 电子，及固体中的其他内层电子。 考虑将孤立原子放到布拉维格子的格点上，形成晶格时，单电子态发生的变化。电子的运动类似于孤立原子中束缚电子的情形，把其他原子场的作用看成是微扰作用。 出发点是将晶体中的单电子波函数看成是N个简并的原子波函数的线性组合。 能带理论 紧束缚近似的主要结论 N个原子放到一起形成晶格时，由于最近邻原子波函数的交叠，N重简并解除，展宽成能带。 由于能带从原子能级演化而来，能带常用原子能级的量子数标记，如3s,3p或3d带等。 导体、半导体和绝缘体的能带论解释 价带 导带 EF 费米能级 金属 半导体 载流子—— 电子和空穴 绝缘体 T=0 时 纳米材料的四大效应:小尺寸效应、量子限制效应、表面效应和宏观量子隧道效应。 量子限制效应 (QCE，Quantum Confinement Effect)，指固体材料的尺度缩小到一定值时，即在某一维度上可与电子的德布洛意波长或电子平均自由程相比拟或更小时，电子的运动受到局限，电子态呈量子化分布，连续的能带分解为分立的能级 。 零维量子材料：量子点、纳米团簇；一维量子材料：纳米线、纳米棒；二维量子材料：量子阱结构。 在半导体材料中，只有当材料体系尺寸与激子玻尔半径相近时，才会出现量子限制效应。 量子限制效应 能级分裂，带隙展宽。随量子材料尺寸减小，吸收、发光峰蓝移。 量子限制效应 块体材料 大小不同的量子点 单个分子 PbS量子点带隙随尺寸的变化 ACS Nano 3, 3023（2009） 量子限制效应 CdS CdSe/ZnS 多彩的量子点 2.1 孤立原子中电子的运动状态 2.2 半导体中电子的运动状态和能带 2.3 杂质和缺陷能级 2.4 载流子的统计分布 2.5 半导体的导电性 2.6 非平衡载流子 2.半导体物理基础 2.3 杂质和缺陷能级 半导体中的杂质能级 III-V族化合物半导体中的杂质 深能级 缺陷能级 实际半导体材料中，存在各种类型的缺陷和杂质，其会在半导体中引起附加的势场，产生局域化的电子态，使电子和空穴束缚在杂质或缺陷周围，在禁带中引入杂质能级和缺陷能级。 杂质和缺陷能级的形成 本征半导体：完全没有杂质和缺陷的半导体。 2.3.1 半导体中的杂质能级 施主杂质和施主能级、N型半导体 施主杂质：杂质在带隙中提供带有电子的能级。 V族元素在硅和锗中起施主杂质的作用。 含施主杂质的半导体主要依靠电子导电，称为N型半导体。 施主电离能 能带中央的能量 2.3.1 半导体中的杂质能级 受主杂质和受主能级、P型半导体 受主：杂质在带隙中提供空的能级。 III族元素在硅和锗中起受主杂质的作用。 含施主杂质的半导体主要依靠空穴导电，称为P型半导体。 受主电离能 2.3.1 半导体中的杂质能级 如果半导体中同时含有施主和受主杂质，施主杂质上的电子首先要填充受主能级，剩余的才能激发到导带。施主和受主杂质之间的互相抵消作用称为杂质补偿，此时，半导体的导电类型由浓度大的杂质决定。 2.3.2 III-V族化合物半导体中的杂质 杂质原子的价电子数与晶格原子的价电子数之间的关系是决定杂质行为的一个重要因素。 在III-V族化合物半导体（如GaAs）中，取代晶格中V族原子的VI族原子（硒、碲）是施主杂质；取代III族原子的II族原子（锌、镉）是受主杂质。 IV族原子可以既取代III族原子，也取代V族原子。哪种原子被取代得多，与IV族原子的浓度和外部条件（温度）有关。 2.3.3 深能级 Si或Ge中的III族和V族杂质、III-V族化合物中II族或VI族杂质，其电离能都在0.01eV左右，该杂质能级称为浅能级。 在半导体中还存在另一类杂质，它们引入的能级在禁带中心附近，这样的杂质能级称为深能级。 由于电离能比较大，深能级对热平衡中的载流子浓度没有直接的贡献，但其可以作为电子和空穴的复合中心，从而缩短非平衡载流子的寿命。 2.3.3 深能级 有的深能级杂质可存在几种不同的电离态，对应不同的能级，在禁带中引入多重杂质能级。 既能成为施主，又能成为受主的杂质，称为两性杂质。 金原子最外层有一个价电子。 锗中的金原子可分别接受1,2,3个电子而成为Au-,Au2-,Au3-,引入三个受主能级Ea1, Ea2, Ea3. 金原子也可给出最外层的电子，成为Au+，引入一个施主能级Ed. 2.3.4 缺陷能级 ——点缺陷 空位和间隙原子： 对于离子晶体（氧化物、硫化物、硒化物等 ） 正电中心：正离子为间隙原子、负离子空位 负电中心：负离子