积累因子影响因素的蒙特卡罗模拟3.PDF

　第 28卷 　第 2期 辐 射 防 护 Vo l 28　No2　 　2008年 　3月 R ad iation Protection M ar. 　2008　 ·工作简报 · 积累因子影响因素的蒙特卡罗模拟 刘立坡 1, 2 　刘义保 1, 2 　王 　娟2 ( 1. 东华理工大学核资源与环境教育部重点实验室 ,南昌, 3300 13; 2. 东华理工大学核工程技术学院 ,江西抚州 , 344000) 摘 　要 　利用不同能量的各项同性点源对铁和铅两种靶物质进行照射 ,使用蒙特卡罗程序实现模拟计 ( ) 算 。根据模拟结果讨论了测量系统几何条件 点源 、靶物质和探测点的相对位置及探测半径 及轫致辐 射对积累因子的影响情况 ,通过各自影响因素的贡献值不同 ,说明对辐射防护屏蔽进行设计时 ,应综合 考虑各项参数 ,更合理地设计屏蔽系统 。 关键词 　积累因子 　蒙特卡罗模拟 　几何条件 　轫致辐射 1　积累因子 积累因子 ,均算出了系统的结果 。为使用方便 , ( ) [ 1 ] 斯英塞 、泰勒 、伯杰等人对这些结果提出计算的 当典型窄射线束 好几何条件 通过吸 收介质时 ,康 吴散射射线全部不会被记录 。讨 经验公式 [ 1 ] 。但积累因子的大小与多种因素 论宽射线时 , 由于康 吴散射这一效应存在 ,有 有关 ,例如 γ光子的能量 、屏蔽层材料的原子 一部分散射射线就会被记录 , 因此就引出了积 序数 、屏蔽层厚度 、屏蔽层的几何条件 、源和屏 累因子的概念 。在屏蔽设计中 ,积累因子是一 蔽层与探测点之间的相对位置等 。尤其应该注 γ 个必须考虑的重要因素 。例如 0. 5 M eV 的 γ 意能量较高的 射线穿过屏蔽层时 , 由次级电 点源发出的辐射 ,穿过深度为 10个平均自由程 子产生的轫致辐射 ,对积累因子有显著的影响 , γ 这对高原子序数的材料尤为显著 。例如 8 M eV 的水层时 ,照射量积累因子为 77. 6。 射线的 γ 能量越小 ,介质的平均原子序数越低 ,散射越严 的 射线穿过 5个平均 自由程的铅时 ,这种轫 γ 致辐 射 对 积 累 因子 的贡 献 , 约 占总 值 的 重 。例如 射线的能量下降到 0. 255 M eV 时 , 在上述条件下的照射量积累因子可达 166。如 33% [ 3 ] 。当在实际工作中遇到这类问题时 ,应 果不考虑积累因子 ,最后算出的屏蔽层厚度将 对积累因子进行修正 。 远低于实际需要的厚度 ,使得经屏蔽后的剂量 率可能高于容许 水平 的几倍 , 甚 至 到上 百 2　测量系统的蒙特卡罗模拟 倍 [ 2 ] 。 利用 MCN P程序设计系统模型 。MCN P程 不同的辐射量有不同的积累因子 。常用的 序是蒙特卡罗方法应用软件之一 ,全名 Mon