CIGS薄膜太阳电池技术优势与研发进展-光电科技工业协进会.PDF

特別企畫 熱門技術應用趨勢 Special Report CIGS 薄膜太陽電池技術優勢與研發進展 銅銦鎵硒 （CIGS ）型太陽電池可說是薄膜型太陽電池技術中備受關注的中長期發展目標 ，其主要的 優點有高轉換效率、每瓦功率低製作成本 、光吸收範圍寬廣、光照射強度與角度彈性大 、長期穩定 性 ，以及可撓性 、易大面積化與低原料成本消耗等優勢 ，促使各大廠商從2007 年加快CIGS 太陽電 池邁向商業化量產腳步。但針對CIGS 薄膜太陽電池欲大量應用於商業量產化 ，仍存在提升轉換效 率、製程標準化、低成本化、提升原材料利用率等研究議題 。 文／何孟穎（光電科技工業協進會 產業分析師） 2 ■CIGS小面積電池轉換效率高達 （0.5 ～1cm ）單元上可實現高達 19.9 ％的最大 19.9％，模組轉換效率達15.9％ 光電轉換效率 ，如表 1 所示 ，理論上的轉換效率 更可達25 ～30 ％。此外 ，日本產業技術綜合研 　　CIGS 薄膜太陽電池之一大特徵為僅 1.5 ～ 究所利用光吸收層特性的集成化技術 ，亦能實現 2 µm 厚度的CIGS 光吸收層 ，即可達到約200 ～ 10 ×10cm 、15.9 ％的模組轉換效率 ；昭和shell 石 300 µm 厚的單晶矽太陽能電池轉換效率 ，估計未 油則在大面積模組上達 13.6 ％光電轉換效率 ，相較 來量產成本約只要每瓦0.3 美元 ，相當具有競爭優 多晶矽太陽能電池 ，在成本與轉換效率上皆顯示了 勢 。CIGS 材料的光吸收率隨著膜厚變薄而增加 ， 高度競爭力 。各類太陽電池技術之光電轉換效率比 在膜厚約 1 µm 時光電轉換效率可達 17 ％，這是由 較如表2 所示 。 於薄吸收層可降低載子在到達p-n 接面之前就會因 ■CIGS結構與製程 重新結合而損失掉的風險 ；然而根據研究指出，當 膜厚持續薄化至0.75 µm 時 ，光電轉換效率將降低 　　CIGS 太陽電池的結構包含抗反射薄膜 、透明 至 13 ％以下 ，主要是歸因於隨著CIGS 晶粒微型 導電薄膜 、緩衝薄膜層 、光吸收層 、電極薄膜層等 化 ，導致其缺陷密度增大所致 。 堆疊而成 。其主要製程技術是先在基板上濺鍍鉬金 　　而美國再生能源實驗室 （NREL ）在2008 屬電極薄膜 ，經過雷射蝕刻處理後 ，使用濕式製程 年3 月宣布CIGS 太陽電池在研究階段的小面積 進行銅 、銦 、鎵成膜過程 ，接著還有硒化處理 、硫 表1　CIGS光電轉換效率最佳值 小面積單電池 大面積模組 研發者 面積 轉換效率 緩衝層 研發者 面積 轉換效率 緩衝層 NREL 0.4 19cm2 19.9％ CdS 昭和shell 3,456 2 13.6％ Zn(O,S,OH)x NREL 1.00