In掺杂ZnO薄膜的制备及其白光发射机理-济南大学物理学院.PDF

物理学报 Acta Phys． Sin． Vol． 60 ，No． 9 (2011) 097105 * In 掺杂ZnO 薄膜的制备及其白光发射机理  李世帅 张 仲 黄金昭 冯秀鹏 刘如喜 ( ， 250022 ) 济南大学理学院 济南 (20 10 11 30 ;20 11 1 6 ) 年 月 日收到 年 月 日收到修改稿 - Si ZnO In :(Zn + In) 5 % ，8% ，10 % ZnO ， 采用溶胶 凝胶法在 衬底上制备了本征 薄膜和 分别为 的 薄膜 对薄膜 CIE-XYZ ． :In 的晶相结构和光电性质进行了表征并在 表色系统中计算了不同样品的色品坐标 结果表明 掺入后 ZnO (002 ) (10 1) ， In 5 % ，In Zn ; 薄膜的择优生长方向由 面变为 面且面间距变小 当 掺杂量为 时 原子完全替代 原子 In ; In ， 670 nm 薄膜的电阻率随 含量的增加出现先抑后扬的趋势 随着 的掺入光谱的紫外发射峰红移 并在 左右出 ;In :(Zn + In) 5 % ． In 5 % 现一个新的峰值 为 样品具有白光发射特性 从第一性原理出发计算了本征及 含量为 的薄 ， ． 膜的能带结构 从附加能级的角度讨论了样品白光发射的产生机理 :In ZnO ， - ， ， 关键词 掺杂 薄膜 溶胶 凝胶 色品坐标 白光发射 PACS :7 1. 55 ． Gs ，73. 6 1. Ga ，78. 66 ． Hf 现ZnO 白光发射的重要途径． In3 + 半径(0. 08 1 nm ) 1. Zn2 + (0. 074 nm ) ， In 引 言 与 的半径 十分接近 掺入 后可 ZnO ; ，In 以避免引起 晶格畸变