硅片表面超薄氧化硅层厚度测量关键比对ccqmk3计量学报.pdfVIP

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第卷第期计量学报年月硅片表面超薄氧化硅层厚度测量关键比对王海刘芬阚莹宋小平赵良仲邱丽美中国计量科学研究院北京中国科学院化学研究所北京摘要利用射线光电子能谱技术建立了硅片表面超薄氧化硅层厚度小于准确测量方法中国计量科学研究院参加了国际关键比对根据公布的国际关键比对结果中国计量科学研究院的测量结果与参比的各国国家计量研究院的测量结果达到了等效一致测量结果的不确定度为关键词计量学厚度测量栅氧化层表面化学分析射线光电子能谱关键比对中图分类号文献标识码文章编号确测量与控制国际半导体技术路线图前言明确指出超

第34卷 第6期 计    量   学   报   Vol.34,№6 2013年 11月 ACTA METROLOGICA SINICA   November,2013 doi:10.3969/j.issn.10001158.2013.06.22 硅片表面超薄氧化硅层厚度测量关键比对CCQMK32 1 2 1

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