Supertex inc. Microchip Technology（我们公司微芯片技术）.pdf

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2017-09-02 发布于浙江
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Supertex inc. Microchip Technology（我们公司微芯片技术）

Supertex inc. DN3545 N-Channel Depletion-Mode Vertical DMOS FET Features General Description ► High input impedance These depletion-mode (normally-on) transistors utilize an ► Low input capacitance advanced vertical DMOS structure and Supertex’s well-proven ► Fast switching speeds silicon-gate manufacturing process. This combination produces ► Low on-resistance devices with the power handling capabilities of bipolar transistors ► Free from secondary breakdown and with the high input impedance and positive temperature ► Low input and output leakage coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, these devices are free from thermal runaway and Applications thermally-induced secondary breakdown. ► Normally-on switches ► Solid state relays Supertex’s vertical DMOS FETs are ideally suited to a wide range ► Converters of switching and amplifying applications where high breakdown ► Linear amplifiers voltage, high input impedance, low input capacitance, and fast ► Constant current sources switching speeds are desired. ► Power supply circuits ► Teleco