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第九章综合测试题本卷分第卷(选择题)和第卷(非选择题)两部分.满分100分,考试时间90分钟.
第卷(选择题 共40分)
一、选择题(共10小题,每小题4分,共40分,在每小题给出的四个选项中,有的小题只有一个选项符合题目要求,有些小题有多个选项符合题目要求,全部选对的得4分,选不全的得2分,有选错或不答的得0分)
1.(2012·北京海淀模拟)如图所示,矩形导线框abcd与无限长通电直导线MN在同一平面内,直导线中的电流方向由M到N,导线框的ab边与直导线平行.若直导线中的电流增大,导线框中将产生感应电流,导线框会受到安培力的作用,则以下关于导线框受到的安培力的判断正确的是( )
A.导线框有两条边所受安培力的方向相同
B.导线框有两条边所受安培力的大小相同
C.导线框所受的安培力的合力向左
D.导线框所受的安培力的合力向右
2.(2012·哈尔滨模拟)矩形导线框abcd放在匀强磁场中,在外力控制下处于静止状态,如图甲所示.磁感应强度方向与导线框所在平面垂直,磁感应强度B随时间变化的图象如图乙所示.t=0时刻,磁感应强度的方向垂直导线框平面向里,在0~4s时间内,导线框ad边所受安培力随时间变化的图象(规定以向左为安培力正方向)可能是下列选项中的( )
3.(2012·南昌模拟)如图所示,在粗糙绝缘水平面上有一正方形闭合金属线框abcd,其边长为l、质量为m,金属线框与水平面的动摩擦因数为μ.虚线框a′b′c′d′内有一匀强磁场,磁场方向竖直向下.开始时金属线框的ab边与磁场的d′c′边重合.现使金属线框以初速度v0沿水平面滑入磁场区域,运动一段时间后停止,此时金属线框的dc边与磁场区域的d′c′边距离为l.在这个过程中,金属线框产生的焦耳热为( )
A.mv+μmgl B.mv-μmgl
C.mv+2μmgl D.mv-2μmgl
4.(2012·信息卷)如图甲、乙所示,水平面上存在着组合磁场,其磁感应强度分别为B、2B,分别用力F1、F2将相同的矩形线框ABCD(一边与两磁场的边界重合)沿水平面匀速完全拉进另一磁场,且两次的速度之比为v1 v2=1 2,则在线框完全进入另一磁场的过程中,下列说法正确的是( )A.拉力大小之比为1 2
B.线框中产生的热量之比为1 1
C.回路中电流之比为1 1
D.克服安培力做功的功率之比为1 2
5.(2012·嘉兴模拟)如图所示,两块水平放置的金属板距离为d,用导线、开关K与一个n匝的线圈连接,线圈置于方向竖直向上的均匀变化的磁场B中.两板间放一台小型压力传感器,压力传感器上表面绝缘,在其上表面静止放置一个质量为m、 电荷量为q的带正电小球.K没有闭合时传感器有示数,K闭合时传感器示数变为原来的一半.则线圈中磁场B的变化情况和磁通量变化率分别为( )
A.正在增强,=B.正在增强,=
C.正在减弱,=D.正在减弱,=
6.(2012·郑州模拟)一矩形线圈位于一随时间t变化的匀强磁场内,设磁场方向垂直线圈所在的平面(纸面)向里为正,如图甲所示,磁感应强度B随t的变化规律如图乙所示.以i表示线圈中的感应电流,以图甲中线圈上箭头所示方向的电流为正,则以下的i-t图中正确的是( )
7.(2012·杭州模拟)如图所示水平光滑的平行金属导轨,左端接有电阻R,匀强磁场B竖直向下分布在导轨所在空间内,质量一定的金属棒PQ垂直于导轨放置.今使棒以一定的初速度v0向右运动,当其通过位置a,b时,速率分别为va,vb,到位置c时棒刚好静止.设导轨与棒的电阻均不计,a,b与b,c的间距相等,则金属棒在由a→b与b→c的两个过程中下列说法中正确的是( )
A.金属棒运动的加速度相等
B.通过金属棒横截面的电量相等
C.回路中产生的电能EabEbc
D.金属棒通过a,b两位置时的加速度大小关系为aaab
8.(2012·太原模拟)如图,边长为2l的正方形虚线框内有垂直于纸面向里的匀强磁场,一个边长为l的正方形导线框所在平面与磁场方向垂直,导线框和虚线框的对角线共线.从t=0开始,使导线框从图示位置开始以恒定速度沿对角线方向进入磁场,直到整个导线框离开磁场区域.用I表示导线框中的感应电流,取逆时针方向为正,则下列表示I-t关系的图线中,大致正确的是( )
9.(2012·大连模拟)两平行金属导轨倾斜放置,与水平面夹角为30°,导轨间距为0.2m,其电阻不计,磁场方向垂直于导轨所在平面向下,磁感应强度B=0.5T,导体ab与cd电阻均为0.1Ω,重均为0.1N.现用沿平行导轨斜向上的力向上推动导体cd,使之匀速上升(与导轨接触良好,两导体没有相碰),此时,ab恰好静止不动,那么cd上升时,ab与cd始终保持平行.下列说法正确的是( )A.cd受到的推力大小为0.1N
B.cd向上的速
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