MgxNi1-xMn2O4薄膜的结构及电学特性研究.docVIP

MgxNi1-xMn2O4薄膜的结构与电学特性研究 张增辉1 2，刘 芳1 *，侯 云2 * ，第文琦1 2 上海理工大学 材料科学与工程学院，上海 200093； 中国科学院上海技术物理研究所 红外物理国家重点实验室，上海 200083） 摘要:采用化学溶液沉积法在Al2O3衬底上生长了MgxNi1-xMn2O4（MNM, x=0, 0.05, 0.10, 0.15, 0.20）薄膜.通过X射线衍射仪和场发射扫描电子显微镜研究了Mg掺杂浓度对MNM薄膜的结构特性的影响，MNM薄膜均匀致密，具有良好的结晶性，为单一立方尖晶石结构.变温电流-电压特性研究显示，MNM薄膜的电输运特性符合小极化子变程跳跃电导模型，同时获得了不同Mg掺杂浓度的MNM薄膜的电阻率、特征温度T0和负电阻温度系数α. 研究结果表明，Mg的掺杂对MNM薄膜的结构和电学特性都有一定的影响. 关键词：镁掺杂；尖晶石氧化物；负电阻温度系数 中图分类号：TN371 文献标志码：A 收稿日期： 返修日期： 基金项目：国家自然科学基金，上海市国家自然基金（15ZR1445700） Foundation items:National Natural Science Foundation of China (No. and Natural Science Foundation of Shanghai (No. 15ZR1445700) 作者简介(Biography):张增辉（1991-），男，硕士研究生，主要研究方向为热敏薄膜材料. E-mail:zhangzh414@163.com. *通讯作者（Corresponding author）: liufang@ (Liu Fang), hyun@ (Hou Yun) 尖晶石结构过渡金属氧化物---锰酸镍(NiMn2O4)由于其优良的负温度系数（NTC）特性而被广泛应用于温度补偿器、热敏电阻器和红外探测器中[1-4]. 尖晶石氧化物通式为XY2O4，X位代表氧四面体中心，Y位代表氧八面体中心, 当加入其它元素到二元体系XY2O4中，会有部分X位的离子迁移到Y位，相应比例的Y位离子迁移到X位，从而会改变其微观结构，进而影响电学及光学特性[5-7]. 已有文献报道，掺杂Cu会导致NiMn2O4材料电阻R、材料系数B值的下降[8-9]；掺杂Co有利于NiMn2O4材料系数B值的提高[10]；而Mg的加入，会提高NiMn2O4材料的抗氧化能力及热稳定性[11]. 目前对于Mg-Ni-Mn-O体系的研究还不是很多，已报道为氧化物粉末高温烧结工艺制备的陶瓷体材料的结果，而Mg-Ni-Mn-O薄膜的研究结果还未见报道. 薄膜的制备方法主要有：激光分子束外延(Laser Molecular Beam Exitaxy)[12-14]，射频磁控溅射(RF Sputtering)[15]，脉冲激光沉积(Pulsed Laser Deposition)[16]，化学溶液沉积法(CSD, Chemical Solution Deposition)[17]等. 化学溶液沉积法制备薄膜具有设备简单，化学计量比容易控制、成本低等优点，是常用的一种薄膜材料制备方法. 本文采用CSD法在Al2O3衬底上生长了MgxNi1-xMn2O4(x=0, 0.05, 0.10, 0.15, 0.20)系列薄膜，通过改变Mg/Ni的比例来研究掺杂Mg元素对薄膜材料微观结构和电学性能的影响. 1试验方法 1.1 样品制备 选用四水乙酸锰(纯度≥99.0%)、四水乙酸镍(纯度≥99.0%)、四水乙酸镁(纯度≥99.0%)为起始原料，按照Mn：Ni：Mg=2：1：0，2：0.95：0.05，2：0.9：0.1，2：0.85：0.15，2：0.8：0.2（原子比）称取原料，然后加入冰乙酸(纯度≥99.5%), 并在70℃水浴中加热使其完全溶解. 放置一段时间后，用0.2μm的注射过滤器过滤溶液，除去杂质，最终得到绿色透明的前驱体溶液用于制备MNM薄膜. 将Al2O3衬底在乙醇中超声清洗12分钟，去除表面的污渍，然后放入快速退火炉中高温退火消除应力. 用滴管将前驱体溶液滴在匀胶机旋转的衬底上，旋转速率为3000转/分钟，时间为20秒，每旋涂好一层后，将湿膜放进快速退火炉中，首先在250℃退火1分钟，使湿膜去除有机成分，接着在750℃退火5分钟. 重复20次同样旋涂和加热退火步骤得到所需要厚度的材料. 1.2测试与表征 采用X射线衍射仪（D/MAX-2550）分析薄膜的结构和结晶特性：X射线采用Cu-Kα靶，工作电压是40KV，扫描范围是10o~75o，步长精度为0.02o. 采用场发