碳源及添加比例对固相烧结碳化硅陶瓷微观结构及性能-无机材料学报.pdfVIP

第 28 卷 第 9 期 无 机 材 料 学 报 Vol. 28 No. 9 2013 年 9 月 Journal of Inorganic Materials Sep. , 2013 文章编号: 1000-324X(2013)09-1009-05 DOI: 10.3724/SP.J.1077.2013.12694 碳源及添加比例对固相烧结碳化硅陶瓷微观结构及 性能的影响 姚秀敏, 梁汉琴, 刘学建, 黄政仁 ( 中国科学院 上海硅酸盐研究所, 结构陶瓷工程研究中心, 上海 200050) 摘 要: 研究了碳的添加量为 6wt%条件下, 添加碳源的种类及添加比例对制备的无压固相烧结碳化硅陶瓷 的微观结构和性能的影响。结果表明: 采用纯无机碳源(碳黑), 制备的碳化硅陶瓷具有较为细小的碳化硅晶 粒结构, 但致密度较低; 添加有机碳源(酚醛树脂) 时, 随着其裂解碳添加量的增加, 碳化硅的晶粒逐步长大, 碳在材料中的分布更加均匀, 材料的致密度提高, 力学性能增强。当有机碳源裂解碳添加量达 3wt% 时, 材 料的致密度最高, 并具有最大的弹性模量 468 GPa, 断裂韧性达 4.65 MPa ·m 1/2 。当有机碳源裂解碳添加量 大于 3wt% 时, 碳化硅晶粒发生局部异常长大现象, 材料的弯曲强度与断裂韧性进一步增加。同时, 对材料 的热扩散系数随碳源添加种类和比例变化的规律也进行了分析与讨论。 关 键 词: 碳源; 固相烧结碳化硅; 微观结构; 性能 中图分类号: TQ174 文献标识码: Ａ Effect of Carbon Source and Adding Ratio on the Microstructure and Properties of Solid-state Sintering Silicon Carbide YAO Xiu-Min, LIANG Han-Qin, LIU Xue-Jian, HUANG Zheng-Ren (Structural Ceramics Engineering Research Center, Shanghai Institute of Ceramics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050, China) Abstract: With 6wt% total carbon additive amount, the microstructure and properties of pressureless solid-state sin- tered SiC(SSiC) were studied with different carbon sources and carbon source adding ratio. It is found that SSiC ce- ramics with inorganic carbon (carbon black) as carbon source have fine