溶胶凝胶法制备以HfO2为绝缘层和ZITO为有源层的高迁移-物理学报.PDF

溶胶凝胶法制备以HfO 为绝缘层和ZITO为有源层的高迁移率薄膜晶体管 朱乐永 高娅娜 张建华 李喜峰 High mobility thin-film transistor with solution-processed hafnium-oxide dielectric and zinc-indium-tin- oxidesemiconductor ZhuLe-Yong GaoYa-Na ZhangJian-Hua LiXi-Feng 引用信息Citation: ActaPhysicaSinica, ,168501(2015) DOI: 10.7498/aps.64.168501 在线阅读Viewonline: /10.7498/aps.64.168501 当期内容Viewtableofcontents: /CN/Y2015/V64/I16 您可能感兴趣的其他文章 Articles youmaybeinterestedin 部分耗尽结构绝缘体上硅器件的低频噪声特性 Lowfrequencynoisebehaviorsinthepartiallydepleted silicon-on-insulator device 物理学报.2015,64(10): 108501 /10.7498/aps.64.108501 电离辐射对部分耗尽绝缘体上硅器件低频噪声特性的影响 Radiationeffectsonthelowfrequencynoiseinpartially depleted silicon oninsulator transistors 物理学报.2015,64(7): 078501 /10.7498/aps.64.078501 电荷失配对SiC半超结垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管击穿电压的影响 Influenceofchargeimbalanceonbreakdownvoltageof 4H-SiC semi-superjunction VDMOSFET 物理学报.2014,63(20): 208501 /10.7498/aps.63.208501 溶胶凝胶法制备高性能锆铝氧化物作为绝缘层的薄膜晶体管 Solution-processedhighperformanceHIZOthinfilmtransistor with AZO gate dielectric 物理学报.2014,63(11): 118502 /10.7498/aps.63.118502 非晶铟锌氧化物薄膜晶体管的低频噪声特性与分析 Analysisoflow-frequencynoiseintheamorphousindium zinc oxide thin filmtransistors 物理学报.2014,63(9): 098503 /10.7498/aps.63.098503 物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 64, No. 16 (2015) 168501 溶胶凝胶法制备以HfO 为绝缘层和ZITO为 有源层的高迁移率薄膜晶体管 朱乐永 高娅娜 张建华 李喜峰 1) (上海大学材料科学与工程学院, 上海 200072) 2)(上海大学, 新型显示技术及应用集成教育部重点实验室, 上海 200072) ( 2015 年1 月6 日收到; 2015 年4 月25 日收到修改稿) 采用溶胶凝胶法制备了- 氧化铪HfO 薄膜, 经500 ◦C 退火后, 获得了高透过率、表面光滑、低漏电流 和相对高介电常数的HfO 薄膜. 并采用氧化铪作为绝缘层和锌铟锡氧化物作为有源层成功地制备了底栅顶 接触结构薄膜晶体管器件. 获得的薄膜晶体管器件的饱和迁移率大于100 cm V s , 阈值电压为 V,