直流反应磁控溅射沉积CuInS2薄膜的结构与电学性质-无机材料学报.PDF

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2017-09-03 发布于天津
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直流反应磁控溅射沉积CuInS2薄膜的结构与电学性质-无机材料学报

第26 卷第 12 期无机材料学报 Vol. 26 No. 12 2011 年12 月 Journal of Inorganic Materials Dec., 2011 文章编号: 1000-324X(2011)12-1287-06 DOI: 10.3724/SP.J.1077.2011.01287 直流反应磁控溅射沉积 CuInS2 薄膜的结构与电学性质颜畅, 刘芳洋, 赖延清, 李轶, 李劼, 刘业翔 ( 中南大学冶金科学与工程学院, 长沙 410083) 摘要: 采用直流反应磁控溅射技术在玻璃基底上制备了太阳电池用CuInS2 薄膜. 以X 射线能量色散谱仪、扫描电镜、X 射线衍射仪、冷热探针和霍尔效应测试系统对薄膜进行了表征. 结果表明, 薄膜成分可通过调整Cu 靶和In 靶的功率比 PCu/PIn 来进行调控; 而薄膜形貌则取决于靶功率比和薄膜的成分. 随着PCu/PIn 的增大, 薄膜物相由富铟相向CuInS2 转变. 对于CuInS2 薄膜, 提高铜铟原子比[Cu]/[In]可改善薄膜的结晶质量. 但当薄膜富铜时, 过高的 [Cu]/[In]又会导致薄膜结晶质量的下降. 当CuInS2 薄膜为富铜与略微贫铜时, 其导电类型为P 型; 且载流子浓度随 [Cu]/[In]增加而增大, 并远高于其它贫铜薄膜. CuInS2 薄膜的载流子迁移率明显高于富铟相薄膜; 且随着[Cu]/[In] 的提高, CuInS2 薄膜的载流子迁移率呈上升趋势, 而电阻率则迅速下降. 关键词: 反应磁控溅射; 铜铟硫; 太阳能电池; 电学性质; 薄膜中图分类号: O643 文献标识码: A Structure and Electrical Property of CuInS Thin Films Deposited by DC Reactive 2 Magnetron Sputtering YAN Chang, LIU Fang-Yang, LAI Yan-Qing, LI Yi, LI Jie, LIU Ye-Xiang (School of Metallurgical Science and Engineering, Central South University, Changsha 410083, China) Abstract: CuInS thin films for solar cells were prepared on the glass substrate by DC reactive magnetron sputtering 2 techn