基于cdv／dt现象分析的功率mos管建模-东南大学学报.pdfVIP

第４０卷第１期 东南大学学报（自然科 学版 ） Ｖｏｌ．４０ Ｎｏ．１ 　 ２０１０年１月 ＪＯＵＲＮＡＬＯＦＳＯＵＴＨＥＡＳＴＵＮＩＶＥＲＳＩＴＹ（ＮａｔｕｒａｌＳｃｉｅｎｃｅＥｄｉｔｉｏｎ） 　 Ｊａｎ．２０１０ ｄｏｉ：１０．３９６９／ｊ．ｉｓｓｎ．１００１－０５０５．２０１０．０１．００４ 基于ＣｄＶ／ｄｔ现象分析的功率ＭＯＳ管建模 徐　申　高海翔　何晓莹　孙伟锋 （东南大学电子科学与工程学院，南京２１００９６） 摘要：为了改善功率ＭＯＳ管及其驱动电路在高频开关状态下，功耗与可靠性等性能上的恶化问 题，分析了此类电路中由于ＣｄＶ／ｄｔ现象所导致的寄生效应．首先考虑功率ＭＯＳ管及驱动电路 的主要寄生参数，详细分析了ＣｄＶ／ｄｔ现象产生的机理．在此基础上，采用状态方程的建模方法， 提取关键电压与电流参数作为状态变量，建立并有效验证了一种功率ＭＯＳ管的数学分析模型． 通过对此模型的仿真，发现ＣｄＶ／ｄｔ现象会带来栅极耦合电压、穿通电流、漏极振荡等不良寄生 效应．同时对各种寄生参数与效应间的关系进行了分析．最后，根据仿真分析结果，给出了电路的 优化设计方法．实际电路的测试结果证明，该功率ＭＯＳ管模型与驱动电路的优化方法在ＣｄＶ／ｄｔ 现象分析与改善上具有明显作用． 关键词：功率ＭＯＳ管；ＣｄＶ／ｄｔ现象；建模；寄生参数 中图分类号：ＴＭ４６；ＴＭ１３　　文献标志码：Ａ　　文章编号：１００１－０５０５（２０１０）０１００１８０５ ＭｏｄｅｌｉｎｇｏｆｐｏｗｅｒＭＯＳＦＥＴｆｏｒａｎａｌｙｓｉｓｏｆＣｄＶ／ｄｔｉｎｄｕｃｅｄｅｆｆｅｃｔｓ ＸｕＳｈｅｎ　ＧａｏＨａｉｘｉａｎｇ　ＨｅＸｉａｏｙｉｎｇ　ＳｕｎＷｅｉｆｅｎｇ （ＳｃｈｏｏｌｏｆＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃＳｃｉｅｎｃｅａｎｄＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ，ＳｏｕｔｈｅａｓｔＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｎａｎｊｉｎｇ２１００９６，Ｃｈｉｎａ） Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ｕｎｄｅｒｈｉｇｈｓｗｉｔｃｈｉｎｇｆｒｅｑｕｅｎｃｙｃｏｎｄｉｔｉｏｎｓ，ｉｎｏｒｄｅｒｔｏｉｍｐｒｏｖｅｔｈｅｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅｓｏｆｐｏｗ ｅｒｌｏｓｓａｎｄｒｅｌｉａｂｉｌｉｔｙｏｆｐｏｗｅｒｍｅｔａｌｏｘｉｄｅｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｆｉｅｌｄｅｆｆｅｃｔｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ（ＭＯＳＦＥＴ）ａｎｄｉｔｓ ｄｒｉｖｉｎｇｃｉｒｃｕｉｔｓ，ｔｈｅＣｄＶ／ｄｔｉｎｄｕｃｅｄｐａｒａｓｉｔｉｃｅｆｆｅｃｔｓａｒｅａｎａｌｙｚｅｄ．Ｃｏｎｓｉｄｅｒｉｎｇｍａｉｎｐａｒａｓｉｔｉｃｐａ ｒａｍｅｔｅｒｓｏｆｔｈｅｄｅｖｉｃｅｓａｎｄｄｒｉｖｉｎｇｃｉｒｃｕｉｔｓ，ｔｈｅｓｗｉｔｃｈｉｎｇｏｐｅｒａｔｉｏｎｐｒｏｃｅｓｓｔｏｇｅｎｅｒａｔｅＣｄＶ／ｄｔｉｎ ｄｕｃｅｄｅｆｆｅｃｔｓａｒｅｄｉｓｃｕｓｓｅｄｉｎｄｅｔａｉｌｆｉｒｓｔｌｙ．Ｔｈｅｎ，ｂｙｕｓｉｎｇｔｈｅｅｑｕａｔｉｏｎｓｏｆｓｔａｔｅａｎｄｓｅｌｅｃｔｉｎｇｃｒｉｔｉ ｃａｌｓｔａｔｅｖａｒｉａｂｌｅｓ，ａｎａｎａｌｙｔｉｃａｌｐｏｗｅｒＭＯＳＦＥＴｍｏｄｅｌｉｓｄｅｄｕｃｅｄａｎｄｖａｌｉｄａｔｅｄ．Ｔｈｅｓｉｍｕｌａｔｉｏｎｓｏｆ ｔｈｉｓｍｏｄｅｌｓｈｏｗｓｅｖｅｒａｌＣｄＶ／ｄｔｉｎｄｕｃｅｄｐａｒａｓｉｔｉｃｅｆｆｅｃｔｓ，ｓｕｃｈａｓｉｎｄｕｃｅｄｇａｔｅｖｏｌｔａｇｅ，ｓｈｏｏｔ ｔｈｒｏｕｇｈｃｕｒｒｅｎｔａｎｄｄｒａｉｎｖｏｌｔａｇｅｏｓｃｉｌｌａｔｉｏｎｓ．Ｔｈｅｒｅｌａｔｉｏｎｓｂｅｔｗｅｅｎｔｈｅｓｅｅｆｆｅｃｔｓａｎｄｄｉｆｆｅｒｅｎｔｖａｌ ｕｅｓｏｆｐａｒａｓｉｔｉｃｐａｒａｍｅｔｅｒｓａｒｅｓｔｕｄｉｅｄａｌｓｏ．Ｆｉｎａｌｌｙ，ａｃｃｏｒｄｉｎｇｔｏｔｈｅｓｉｍｕｌａｔｉｏｎｒｅｓｕｌｔｓ，ｔｈｅｄｅｓｉｇｎ ｏｐｔｉｍｉｚａｔｉｏｎｓｏｆｔｈｅｃｉｒｃｕｉｔｓａｒｅｐｒｅｓｅｎｔｅｄ．Ｔｈｅｅｘｐｅｒｉｍｅｎｔａｌｒｅｓｕｌｔｓｓｈｏｗｔｈａｔｔｈｅｐｒｏｐｏｓｅｄｐｏｗｅｒ ＭＯＳＦＥＴ’ｓｍｏｄｅｌａｎｄｃｉｒｃｕｉｔｓ’ｄｅｓｉｇｎｏｐｔｉｍ