超大规模集成电路互连电迁移自由体积电阻模型!-物理学报.pdfVIP

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 BA ! $$B ! ， ， ， R5+ ,BA Q5 , ! /;4;)=;’ $$B （ ） !$$$J-7$3$$B3BA ! 3B8#J$# %KL% MNOCPK% CPQPK% $$B KD* , MDS: , C54 , 超大规模集成电路互连电迁移自由体积电阻模型! !） !） ） !） ） 宗兆翔 杜 磊 庄奕琪 何 亮 吴 勇 !）（西安电子科技大学技术物理学院，西安 #!$$#!） ）（西安电子科技大学微电子研究所，西安 #!$$#!） 将晶核析出的 方程应用于描述超大规模集成电路中金属 薄膜互连电迁移过程中电阻的演变 根据 %’()* %+ , 电子散射理论，晶界电阻主要起源于晶界处空位或者空洞对电子的散射 为了描述这些离子的特征，引入了自由 , 体积的概念，将晶界处电子散射这个复杂的过程简化用自由体积的有效散射截面来描述，从而建立了自由体积与 电阻变化的定量关系，统一描述了电迁移过程中不同阶段的电阻变化, 数值模拟结果表明，在第一个空洞成核时 刻电阻会发生急剧变化，这一结果已被实验所证实, 关键词：电迁移， 互连，电阻变化 %+ ： ， !## #-.$/ ..-$0 量了空洞面积和电阻变化之间的关系，提出电阻的 !1 引 言 相对变化正比于空洞体积, 最近，有研究表明过孔 在失效时（! 3 ! H $I ）空洞几乎随时间线性长 ! ［］ ［］ 随着微电子技术的发展，集成电路的特征尺度 8 7 大 , /5( 等 使用高电压扫描电子显微技术发现 不断减小，作为超大规模集成电路互连线的金属薄 电阻突变点对应于互连金属内部第一个空洞成核的 膜的截面积也越来越小，其承受的电流密度急剧增 时刻，在我们的实验中也发现了类似的电阻突变 加, 目前，金属互连电迁移已成为超大规模集成电 现象, ［］ 路的主要失效机制之一! , 目前金属互连电迁移电阻模型大多属于应力模 ［， ， ］ 电迁移是金属布线中的金属离子与通过互连线 型 !$ !! ，这种模型可以定量解释电阻早期变化，但