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p1m1防静电esd
P1M1 防静电(ESD)培训 P1M1.1 概述 P1M1.2 静电产生的原因 P1M1.3 静电在电子工业中的危害 P1M1.4 防静电解决方案 P1M1.5 生产中的防静电操作措施 P1M1.6 防静电相关标准 P1M1.7 静电防护系统的认识及使用 P1M1.1 概述 静电,是一种广泛存在的自然现象。 日常生活可以感觉到的静电现象: 闪电 看电视接触屏幕时会有电击麻木的感觉 在冬天穿毛衣时所产生的噼啪声 这些对我们日常生活没有很大影响,但对电子元件及电子线路板有很大的冲击。与ESD有关的损害将继续给世界的电子制造工业带来每年数十亿美元的代价 P1M1.1 概述 物质都是由分子组成,分子是由原子组成,原子由带负电的电子和带正电的原子核组成。 在正常状况下,一个原子的质子与电子 数量相同,正负平衡,所以对外表现出 不带电的现象。 但是电子环绕于原子核周围,一经外力即脱离轨道,离开原来的原子A而进入其他的原子B,A原子因电子数减少而呈带正电现象,B原子因电子数增加而呈带负电现象。 这种物体表面所带过剩或不足的相对静止不动电荷,称之为静电。 P1M1.2 静电产生的原因 引起静电的方式通常有以下几种 P1M1.2 静电产生的原因 某些外界因素对静电产生的影响非常大,主要包括 : 人为因素:由于人在不停地运动,人的身体很容易带上静电荷;人的皮肤、头发和身体这样的绝缘材料会储存相当大数量的静电荷;人在操作电子设备和电子组件,会将人体的静电传输(发射)到元器件或设备上 低湿度(空气干燥):湿度对静电的积累和消散影响很大,湿度较低时,静电电位高,湿度较高时,静电电位低。这主要因为湿度较高时,绝缘材料表面吸附了水分子(有时还有导电杂质)而降低了绝缘,便于静电泄漏 . 所接触的材料类型 :不同的材料产生静电的大小不一样,特别是合成材料、普通塑料和绝缘体更容易产生或存储静电。 P1M1.2 静电产生的原因 静电放电(ElectroStatic Discharge) 简称ESD 指具有不同静电电位的物体,由于直接接触或静电感应引起物体间的静电电荷转移。这是在静电场的能量达到一定程度后,击穿其间介质而进行放电的现象 。 ESD与人体的反应 P1M1.3 静电在电子工业中的危害 1.人在地毯上行走、在工作台上装配调试以及操作普通材料等活动都会产生上千伏的静电。如果静电电压聚集产生火花放电,电子元件、印刷板组件和其它电子组件会受到破坏或损坏。 P1M1.3 静电在电子工业中的危害 2.随着需求电子仪器仪表和设备等电子产品日趋小型化、多功能化及智能化。高密度集成电路已成为电子工业为满足上述需求而不可缺少的器件。这种器件线间距短、线细、集成度高、运算速度快、低功率、低耐压和输入阻抗高,因而这类器件对静电更加敏感。这些元件可能因静电电场和静电放电电流引起失效,或者造成难以被发现的“软击穿”现象,给整机留下潜在的隐患,直接影响着电子产品的质量、寿命、可靠性和经济性。 P1M1.3 静电在电子工业中的危害 3.电子零件(组件)在搬运和运输过程中由于摩擦、振动或冲击,也会受到ESD损害。 ESD引起的损害形式 由于环境因素或人为操作不当等造成静电放电,对电子元器件或组件的损害称为失效。 即时失效(约占10%) 指一次性造成电子元器件介质击穿或烧毁的永久性失效。 延时失效(约占90%) 造成器件的性能劣化或参数指标下降,仍可能通过所有检验和测试。但产品在使用中会过早出现故障和失效。 引起失效的几种情况: 造成PN结软击穿,产品可靠性下降 芯片内多晶硅或金属互连击穿,废品率上升 芯片内引线击穿,废品率上升 电子元件与ESD电压损害的关系 常见情形下静电的产生 几种主要的静电源 P1M1.4 防静电解决方案 静电防护材料的种类 静电屏蔽材料 可防止静电释放穿透的材料。(包装袋) P1M1.4 防静电解决方案 抗静电材料 在使用中不会产生静电,但会被静电释放穿透。 (地板) P1M1.4 防静电解决方案 静电消散材料 这类材料有足够的传导性,能使静电荷通过其表面消散。 (鞋底) 静电防护的方法 在实际生产中,主要从两个方面进行静电防护,即防止静电的积聚和对已积聚的静电进行泄放。常用的方法有: 接地法 接地能消除导体上的静电,接地电阻应小于100欧姆。绝缘体直接接地反而容易发生静电放电,应在绝缘体与大地之间保持106 ~ 109 欧姆的电阻。 P1M1.4 防静电解决方案 2.泄漏法 增加空气的湿度可以降低绝缘体的绝缘性,增加静电通过绝缘体表面的泄放。采用导电橡胶或喷涂导电塑料效果也很好。 3.中和法
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