AN3743_模拟eeprom快速入门.pdfVIP

模拟EEPROM快速入门 1 简介 1.1 模拟EEPROM S12X系列的一些微控制器，比如MC9S12XEP100 ，在原来EEPROM 的地址范围 （0x10_0000 ~ 0x14_0000 ）增加了新的功能。这个区域不包含传统意义上的EEPROM ，取而 代之的是FLASH和RAM ，它由FTM （Flash Module ）通过固定的操作来实现FLASH和RAM 的 功能。因为FTM可以灵活的将这种模拟EEPROM进行功能切换以适应用户程序，这样为用户 在存储器层面提供更灵活的解决方案。 1.2 本文目的 本文的目的是简单介绍模拟EEPROM （以下简称EEE ）。另外，本文适合具有熟练编程调 试经验但是不熟悉EEE 的用户。本文通过一个简单的EEE例子使用户熟悉EEE 。无须更底层的 细节，本文关注解释EEE 的基本概念和用法。用户需要一个S12XE MCU开发板和一个Code Warrior调试器，这样可以一步步地执行下面的代码。本文主要内容有： （1）EEE在存储器的地址范围 （2 ）三种配置的例子 （3 ）FTM指令流 （4 ）缓冲区RAM 中的数据在不同配置下的情况 本文同时也讨论其他的一些重要内容的，更多细节，请参看AN3490 “Overview of the MCIS12XE Emulated EEPROM ”，同时访问网站 。 2 S12XE EEE在S12X的地址范围 图1显示了增强型EEPROM在S12XE的局部地址和全局地址。图1同时也展示了增强型 EEPROM作为数据flash和缓冲区RAM （buffer RAM ）的地址范围。 图1 S12XE EEE在S12X的地址范围 3 增强型EEPROM 区域的配置 因为FTM 的功能的增强，这些EEE 模块可以进行如下的三种配置： （1）作为数据Flash 和缓冲区RAM ： 所有的数据Flash 和缓冲区RAM 扇区都作为传统的RAM 和flash 。没有EEE 扇区，也 就是模拟EEPROM 功能禁止。如图2 所示。 图2 EEPROM 区域作为数据Flash 和缓冲区RAM （2 ）作为EEE ： 所有的增强型EEPROM 全部作为模拟EERPOM （EEE ），这样所有的缓冲区RAM 作为 EEE RAM ，所有的数据flash 作为EEE flash 。一旦EEE 启用，FTM 将把掉电就丢数据的EEE RAM 的内容写入EEE flash 。FTM 自动完成这些操作，无须用户干预。MCU 下次重起后， FTM 将延迟CPU 执行指令直到数据完全从EEE flash 拷贝到EEE RAM 。这个功能使EEE RAM 像EERPOM 一样工作，即单字节擦写，但掉电不丢失数据。如图3 所示。 图3 配置为EEE （3 ）配置为EEE ，数据Flash 和缓冲区RAM 这是一种混合配置，部分缓冲区RAM 和数据 flash 被独立地定义为 EEE RAM 和 EEE flash，剩下的扇区根据用户的需求依然作为缓冲区RAM 和数据flash 。在EEE RAM 中的数 据在FTM 的操作下依然起到EEE 的作用。如图4 所示。 图4 配置为EEE ，数据flash 和缓冲区RAM 3.1 执行FTM 命令 为了通过FTM 来读、写或配置存储器区域，命令必须装载到FTM 中执行。这个过程包 括一个指令序列给 FTM 来确定命令参数及启动执行。下面的代码片段通过函数 LaunchFlashCommand 显示了怎样装载和执行FTM 命令。用户根据流程图编写程序可以少犯 错误。图5 显示了推荐的FTM 命令执行流程。 FSTAT = 0x30; //Use store instruction to clear ACCERR, FP