h-bn 薄膜表面 pmma 残留去除研究 removal of pmma residues on the hexagonal boron nitride film.pdfVIP

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2017-09-03 发布于上海
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h-bn 薄膜表面 pmma 残留去除研究 removal of pmma residues on the hexagonal boron nitride film

( ) 第卷第期杭州电子科技大学学报自然科学版　 36 6 Vol.36 No.6　年月 ( ) 　2016 11 Journal of Han zhou Dianzi Universit Natural Sciences Nov.2016　 g y : / DOI 10.13954 .cnki.hdu.2016.06.013j h-BN薄膜表面PMMA残留去除研究 , , , 张琪赵士超金圣忠吕燕飞　 ( , ) 杭州电子科技大学材料物理研究所浙江杭州 310018 : ( ) ( ) , 摘要化学气相沉积法 CVD 制备的六方氮化硼薄膜 h-BN 的清洁转移一直备受关注 h-BN从生 , 长基底向其它目标基底转移过程中会引入残留物影响薄膜的性质和应用为研究 PMMA h-BN . , , PMMA残留物的去除首先采用低压化学气相淀积法制备了 h-BN 薄膜并转移至基底表面然后、、分别采用丙酮溶解还原热处理氧化热处理的方法去除薄膜转移过程中残留物研 h-BN PMMA . , , 究结果发现丙酮溶解和还原热处理都不能有效去除PMMA残留长时间的氧化热处理可以彻底去除PMMA残留. : ; ; ; 关键词六方氮化硼转移 PMMA 残留物中图分类号: 文献标识码: 文章编号: ( ) TN304　　　　 A　　　 1001-9146 2016 06-0061-05 引言 0　　 ( ) , []1 , , , 六方氮化硼 h-BN 薄膜是一种二维介电材料禁带宽度为 6.07 ev 具有高热导率高机械强度 , 、高电阻和良好的化学惰性等性能用于热界面材料保护涂层和纳米电子介质和深紫外光电器件等领 []2 , , 、域此外由与石墨烯制备的异质结能够储存电子能量和动量可制作精细红外探测器混频器 . h-BN