hgcl2-ki-h2 o溶液体系中碘化汞（α-hgi2）籽晶层生长研究 growth ofα-hgi2 seed layer in hgcl2-ki-h2 o.pdfVIP

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2017-09-03 发布于上海
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hgcl2-ki-h2 o溶液体系中碘化汞（α-hgi2）籽晶层生长研究 growth ofα-hgi2 seed layer in hgcl2-ki-h2 o

第卷第期西安工业大学学报３６４Ｖｏｌ．３６Ｎｏ．４　　　　　　　年月　　　　　　　　　　　 ’ 　　　　　　　　　　　２０１６４ＪｏｕｒｎａｌｏｆＸｉａｎＴｅｃｈｎｏｌｏｉｃａｌＵｎｉｖｅｒｓｉｔＡｒ．２０１６ｇｙｐ：／ＤＯＩ１０．１６１８５．ｘａｔｕ．ｅｄｕ．ｃｎ．２０１６．０４．０１２ｊｊ H ＣｌＫＩ H Ｏ溶液体系中碘化汞（ H Ｉ）ｇ２- -２ α-ｇ２籽晶层生长研究 赵盼盼，许岗，冯亚西，邱海蔡，李俊英　（西安工业大学材料与化工学院，西安７１００２１）摘要：为提高气相沉积碘化汞（）多晶薄膜定向生长效果，研究了和溶液 H Ｉ H ＣｌＫＩ　　 α-ｇ２ｇ２化合反应法制备用于同质外延的籽晶层的生长工艺建立了／ H Ｉ． H ＣｌＫＩ＝１ ∶１１ ∶６ｇ２ｇ２～－（摩尔比）的反应体系，通过改变体系中碘离子（［］）浓度，研究了液相体系的反应过程通过Ｉ．紫外可见分光光度计研究了反应体系中组元转变特征，采用偏光显微镜分析了不同浓度下晶 - －体结晶形貌和分布特征光谱表明：随着［］浓度增大，体系中出现［］聚体并导致．ＵＶＩ H Ｉｇ２ n 吸收峰红移，以及［］· 吸收峰出现蓝移宏观形貌分析表明：籽晶层粒度和覆盖度Ｋ H Ｉ H Ｏ．ｇ３２－随［］浓度增大而增大，晶粒逐渐发育充分［］聚体的形成导致电子能级密度增加，跃Ｉ