非对称结构的正向阻断能力igbt非对称结构的反向阻断能力.pptVIP

* 5.6绝缘门极双极晶体管（IGBT) IGBT(Insulate Gate Bipolar Transistor)绝缘栅双极晶体管是一种具有MOS输入、双极输出功能的MOS、双极的复合型半导体器件。既有MOSFET的输入阻抗高、控制功率小、驱动电路简单、开关速度高的优点,又具有双极功率晶体管的电流密度大、饱和压降低、电流处理能力强的优点。 1、IGBT的基本结构 2、IGBT的工作原理与基本特性 3、IGBT的阻断特性 4、IGBT的通态特性 5、IGBT的开关特性 1、IGBT的基本结构 对称结构 非对称结构 对称结构的纵向杂质分布 非对称结构的纵向杂质分布 1、IGBT的基本结构 2、IGBT的工作原理与基本特性 ※正向阻断区 ※反向阻断区 ※导通区 ※饱和区 1）对称结构正向阻断能力 当VAK＞0时，J2结反偏，门极与阴极短路，J2结的耗尽层的扩展主要在N基区。其击穿电压由基极开路晶体管（P+-N-P）确定。 3、IGBT的阻断特性 通过合理设计N基区的掺杂浓度、厚度可以获得所希望的转折电压。设计思路与晶闸管阻断电压的设计思路相同。在一定的转折电压下，当N基区的少子寿命一定时，有很多组ND与WN的组合能满足要求，但只有一组的N基区宽度最小，即所谓优化设计。 当VAK＜0时，IGBT的反向阻断能力由J1结承担。J1结的耗尽层的扩展主要在N基