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* 第 6 章 MOS模拟集成电路基础 6.1 MOS模拟集成基本单元电路 6.1.1 MOS电流源 1. 镜像电流源 在 vDS1＝vDS2 W2/L2=W1/L1 的情况下： IO＝IR 考虑 vDS的差异，修正为： 输出电阻为： 2. 比例电流源 3. 威尔逊电流源 4. 改进型威尔逊电流源 在开启电压VGS(th)较大时， T2的VDS2大于T3的VDS3＝VGS3 ，会导致T2和T3的电流失配， 因此增加T4，如右图 6.1.2 MOS单级放大器 因MOS管的gm低，一般采用有源负载，以增强型（E型）作放大管 和有源负载的电路称为E/E型，以E型管作为放大管，耗尽型 （D型）管作为有源负载称为E/D型，以NMOS管和PMOS管组成的 互补放大器称为CMOS型 E/D型共源放大器 CMOS型共源放大器 CMOS型共源放大器的大信号特性： CMOS型共源放大器的小信号特性： AV(0)=-gm1rds1//rds2=－ ＝－ ro= rds1//rds2 CO=Cbd1+Cgd2+Cbd2+Cgd1 6.1.3 MOS源耦对与差动放大器 大信号特性： 6.1.3.2 MOS源耦差动放大器 6.1.4 CMOS 互补输出级 6.2 CMOS集成运算放大器 6.2.1 简单的CMOS集成运放 6.2.1.1 PMOS 输入级低功耗运放 6.2.1.2 NMOS输入级低功