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内透明集电极IGBTITC2IGBT与PT2IGBTFS2IGBT的-电子器件
第 32 卷 第 3 期 电 子 器 件 Vol . 32 N o . 3
2009 年 6 月 Chinese J our nal Of Elect r on Devices J un . 2009
Perf ormance Comparison of the Internally Transparent Collector
I GBT ( ITCI GBT) 、PTIGBT and FSIGBT
YO U X uel an , W U Yu , H U D ong qi ng , J I A Yunp eng , Z H A N G Yanf ei , KA N G B aow ei
( )
D ep art ment of E lect ronic S cience Technology , B eij i ng Uni vers ity of Technol ogy , B eij i ng 100 124 , Chi na
Abstract :For t he fir st time device simulation ha s been p erfor med for 600 V p lanar Int er nally Tran sp arent
Collector I GB T ( I TCI GB T) , P TI GB T an d F SI GB T to inve stigat e and co mp are t heir t radeoff curve s of
t he onvolt age ver su s t he t ur noff ener gy . The st r uct ure of t he I TCI GB T i s quit e similar to t hat of t he
P TI GB T , but a t hin layer of localized reco mbination layer w here car rier s ’lif etime i s very low i s int ro
duced in t he collector region near t he pcollector/ nbuff er j unctio n . The eff ective collector of t he I TCI G
B T i s t he pregion above t he localized reco mbination layer w hich i s very t hin and lowdop ed . In t hi s way , a
t ran sp arent collector i s realized . It i s show n t hat t he I TCI GB T ha s a bet t er p erfor mance and t he t radeoff
curve of it wit h an op timized nbuff er concent ratio n can be much bet t er t han t ho se of t he P TI GB T and t he
F SI GB T . Thi s in dicat e s t hat w hile off ering a simp le fabrication met ho d orient ed to rep lace t he hig
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