对三极管饱和条件的质疑.PDF

对三极管饱和条件的质疑 刁修睦 （潍坊学院信息与控制工程学院，山东 潍坊 261061 ） E-mail ：ddxxmm_001@163.com 摘 要 ：在电子技术基础理论中，我国多数教材[1]-[5]认为晶体三极管处在饱和状态时， 其内部发射结和集电结都是正偏的。本文从理论和实验两个方面证实，在三极管处在饱和状 态时，其集电结仍然是反偏的 ，并将其在实际中的应用作了举例说明。 关键词 ：饱和 ；电桥 ；零偏电压 ；集电极电流 1、理论探讨 以NPN 型三极管[如图一 （a）]为例，认为晶体三极管处在饱和状态时其内部集电结是 正偏的主要依据是：在饱和状态时，三极管集电极电位低于基极电位（此时，U ≈0.7V, U BE CE ≈0.3V）。然而，在饱和状态时，三个电极之间的电流关系仍然满足I =I +I 。这也就是说： E B C 在饱和状态时，集电极的电流仍然是从外部流入晶体管，即从集电结的N 型区流向P 型区。 如果集电结正偏，则电流必然从P 型区流向N 型区，集电极的电流从集电极流出晶体管。这 显然是一对矛盾。 C C C C r  c B B B rbb b B rbb b r  e E E E E （a ） （b ） （c ） （d ） 图 一 三极管模型 三极管是典型的非线性元件，在不同的状态可用不同的模型进行等效分析。研究偏置状 态时，通常取如图一 (b)所示二极管模型。依据此模型，在饱和状态时，由三极管集电极电 位低于基极电位，自然可推知集电结是正偏的，然而却导致了上述矛盾。事实上，从三极管 的内部结构看，除了两个PN 结外，还有发射区、基区和集电区三个区域，这三个区域是有 [6] 一定电阻的，通常称体电阻。考虑体电阻的三极管模型如图一 (c)所示 。在饱和状态，发 射极和集电极电流均很大，由于电导调制效应的影响，使发射区和集电区体电阻都很小，可 以忽略。而基区体电阻r 为横向电阻，由于基区很薄，只有几个微米，该电阻较大，它又 bb 不受电导调制效应的影响，一般不能忽略。考虑基区体电阻 r 的三极管模型如图一 (d)所