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高性能顶栅结构有机薄膜晶体管
第 卷 第 期 液 晶 与 显 示 ,
27 3 Vol.27No.3
年 月 ,
2012 6 ChineseJournalofLiuidCrstalsandDislas Jun.2012
q y p y
文章编号: ( )
10072780201203031305
高性能顶栅结构有机薄膜晶体管
洪 飞,谭 莉,朱棋锋,向长江,韩学斌,张其国,郭晓东,申剑锋
(中国科学院 上海高等研究院 新型显示技术研究中心,上海 , : )
201210Emailhonf casail.com
g@
摘 要:采用六联苯( )和氧钒酞菁( )作为有源层材料,利用弱外延生长技术制备有机薄膜晶体管
6P VOPc
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( )。在相同的工艺条件下制备了顶栅结构( )和底栅结构( )两种器件构型,发现两
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种不同结构的 器件特性存在较大的差异, 的迁移率比 高很多。在
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顶栅结构的器件构型中获得了较高的器件特性参数,迁移率达到 2/ · 。研究了弱外延生长技术应
1.6cm V s
用在两种不同器件构型中的差异,并解释了顶栅结构 OTFT迁移率较高的原因。
关 键 词:有机薄膜晶体管;顶栅结构;弱外延;氧钒酞菁
中图分类号: 文献标识码: : /
TN321.5 A 犇犗犐 10.3788YJYX0313
犎犻犺犘犲狉犳狅狉犿犪狀犮犲犗狉犪狀犻犮犜犺犻狀犉犻犾犿犜狉犪狀狊犻狊狋狅狉犅犪狊犲犱狅狀
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