无机材料科学基础第十章.pptVIP

10.2.3.2 塑性流动(L少) 剪应力f 塑流型 讨论： (1)、屈服值 f? ? d?/dt ?； (2)、 f=0时，属粘性流动，是牛顿型； (3)、 当[ ]?0， d?/dt ?0，此时即为终点密度； (4)、 为达到致密烧结，应选择最小的r、?和较大的?。 10.2.4 溶解－沉淀传质 液相多 固相在液相内有显著的可溶性 液体润湿固相 2、推动力：表面能 ? 颗粒之间形成的毛细管力。 实验结果：0.1～1?m的颗粒中间充满硅酸盐液相，其?P = 1.23～12.3MPa。 ? 毛细管力造成的烧结推动力很大!! 1、条件： 3、传质过程 第一阶段：颗粒重排 T? ，出现足够量液相，固相颗粒在?P 作下重 新排列，收缩率60%以上； 第二阶段：溶解-沉淀 小颗粒接触点处被溶解 液相传质 较大颗粒沉积 →晶粒长大，坯体致密 4、影响因素： 时间 颗粒的起始粒度 溶解度、润湿性 液相数量 烧结温度。 例：MgO＋2wt%高岭土1730℃下的烧结情况： 烧结前MgO粒度: A：3?m B：1 ? m C：0.52 ? m -1.0 -1.5 -2.0 0.5 1.0 1.5 L o g ?L / L Logt(min) C B A K=1,颗粒重排 K=1/3，溶解-沉淀 K=0,近终点 四、各种传质机理分析比较 §10.3 烧结过程中晶粒生长与异常生长 定义： 晶粒生长－－材料热处理时，平均晶粒连续增 大的过程。 二次再结晶－－少数巨大晶体在细晶消耗时成 核-长大过程。 10.3.1 晶粒长大 1、概念 晶粒长大不是小晶粒相互粘结，而是晶界移动的结 果；晶粒生长取决于晶界移动的速率。 推动力：晶界两侧的?G 移动方向： ?P方向 移动结果：晶粒长大 晶界结构(A)及原子跃迁的能量变化 晶界移动速率： 2、晶粒长大的几何情况： ? 晶界上有界面能作用，形成三维晶界网； ? 若边界能量相同，夹角呈1200，晶粒呈正六边形； ? 一般晶界有一定曲率，? 使晶界向曲率中心移动。 ? 晶界上杂质、气泡会阻碍晶界移动。 晶粒长大定律： 讨论： (1) 当晶粒生长后期(理论)：DD0 (2) 实际上直线斜率更接近于1/3。 原因：晶界移动时遇到杂质或 气孔而限制了晶粒的生长。 界面 通过 夹杂 物时 形状 变化 3、晶界移动 (1)、移动的七种方式 1－气孔靠晶格扩散迁移 2－气孔靠表面扩散迁移 3－气孔靠气相传递 4－气孔靠晶格扩散聚合 5－气相靠晶界扩散聚合 6－单相晶界本征迁移 7－存在杂质牵制晶界移动 2 6 7 5 4 3 1 晶界的移动方向 影响因素：晶界曲率； 气孔直径、数量； 气孔作为空位源向晶界扩散的速度 气孔内气体压力大小； 包裹气孔的晶粒数。 (A) Vb=0 (B) Vb = Vp (C) Vb Vp_ 晶界移动方向 气孔移动方向 Vb－晶界移动速度； Vp－气孔移动速度。 气孔通过空位传递而汇集或消失。 实现烧结体的致密化。 于烧结体致密 化不利。 初期 中、后期 后期 后期：当Vp=Vb时， A：要严格控制温度。 B：在晶界上产生少量液相， 可抑制晶粒长大。 原因：界面移动推动力降低， 扩散距离增加。 4、讨论：坯体理论密度与实际密度存在差异的原因？ 晶粒长大是否无止境？ (1) 存在因素：气孔不能完全排除。 随烧结进行，T升高，气孔逐渐缩小， 气孔内压增大，当等于2?/r时，烧结停止。 但温度继续升高，引起膨胀，对烧结不利。 (2) 采取措施 气氛烧结、真空烧结、热压烧结等。 讨论： a、 (3) Zener理论 d－夹杂物或气孔的平均直径 f－夹杂物或气孔的体积分数 Dl－晶粒正常生长时的极限尺寸 原因：相遇几率 小。