第四章场效应管习题结果解析.docVIP

第四章 场效应管基本放大电路 ? 4-1 1．场效应晶体管是用_______控制漏极电流的。 a. 栅源电流 b. 栅源电压 c. 漏源电流 d. 漏源电压 2．结型场效应管发生预夹断后，管子________。 a. 关断 b. 进入恒流区 c. 进入饱和区 d. 可变电阻区 3．场效应管的低频跨导gm是________。 a. 常数 b. 不是常数 c. 栅源电压有关 d. 栅源电压无关 4. 场效应管靠__________导电。 a. 一种载流子 b. 两种载流子 c. 电子 d. 空穴 5. 增强型PMOS管的开启电压__________。 a. 大于零 b. 小于零 c. 等于零 d. 或大于零或小于零 6. 增强型NMOS管的开启电压__________。 a. 大于零 b. 小于零 c. 等于零 d. 或大于零或小于零 7. 只有__________场效应管才能采取自偏压电路。 a. 增强型 b. 耗尽型 c. 结型 d. 增强型和耗尽型 8. 分压式电路中的栅极电阻RG一般阻值很大，目的是__________。 a. 设置合适的静态工作点 b. 减小栅极电流 c. 提高电路的电压放大倍数 d. 提高电路的输入电阻 9. 源极跟随器（共漏极放大器）的输出电阻与___________有关。 a. 管子跨导gm b. 源极电阻RS c. 管子跨导gm和源极电阻RS 10. 某场效应管的IDSS为6mA，而IDQ自漏极流出，大小为8mA，则该管是_______。 a. P沟道结型管 b. N沟道结型管 c. 增强型PMOS管 d. 耗尽型PMOS管 e. 增强型NMOS管 f. 耗尽型NMOS管 解答： 1.b 2.b 3.b,c 4. a 5.b 6.a 7. b,c 8. d 9.c 10.d 4-2 已知题4-2图所示中各场效应管工作在恒流区，请将管子类型、电源VDD的极性（+、-）、uGS的极性（0，≥0，0，≤0,任意）分别填写在表格中。 解： 图号 项目 （a） (b) (c) (d) (e) (f) 沟道类型 N P N N P P 增强型或耗尽型 结型 结型 增强型 耗尽型 增强型 耗尽型 电源VD极性 ＋ － ＋ ＋ － － UGS极性 ≤0 ≥0 0 任意 0 任意 4-3试分析如题4-3图所示各电路能否正常放大，并说明理由。 解： (a)不能。 VT是一个N沟道JFET，要求偏置电压UGS满足UGS,off UGS 0，而电路中VT的偏置电压UGS0，因此不能进行正常放大。 (b)能。 VT是一个P沟道JFET，要求偏置电压UGS满足0UGS UGS,off，而电路中VT的偏置电压UGS0，只要在0UGS UGS,off范围内就能进行正常放大。 （c）能。 VT是一个N沟道MOSFET，要求偏置电压UGS满足UGS UGS,off 0。电路中UGS0，如果满足UGS UGS,off就可以正常放大。 （d）不能。 虽然MOSFET的漏极D和源极S可以颠倒使用，但是此时衬底的接法也需要调整。虽然电路中自给偏置电压UGS0，也可能满足UGS UGS,off 0。但是D极和衬底B之间的PN结正向导通，因此电路不能进行信号放大。 （e）不能 VT是一个N沟道增强型MOSFET，开启电压Uon 0，要求直流偏置电压UGS Uon，电路中UGS=0，因此不能进行正常放大。 （f）能。 VT是一个P沟道耗尽型MOSFET，夹断电压UGS,off0，放大时要求偏置电压UGS满足UGS UGS,off。电路中UGS0，如果满足UGS UGS,off就可以正常放大。 4-4 电路如题4-4图所示，VDD=24 V，所用场效应管为N沟道耗尽型，其参数IDSS=0.9mA，UGS,off=-4V，跨导gm=1.5mA/V。电路参数RG1=200kΩ, RG2=64kΩ, RG=1MΩ, RD= RS= RL=10kΩ。试求： 1．静态工作点。 2．电压放大倍数。 3．输入电阻和输出电阻。 解： 静态工作点的计算 在UGS,off≤UGS≤0时， 解上面两个联立方程组，得 漏源电压为 2．电压放大倍数 3．输入电阻和输出电阻。 输入电阻 输出电阻 4-5 电路如题4-5图所