学习情境二+电力电子器件及其驱动保护+.pptVIP

* IGBT的擎住效应和安全工作区 图2-35 IGBT的结构、具有寄生晶闸管的等效电路 左： 内部结构断面示意图 右： 等效电路 # 寄生晶闸管——由一个N-PN+晶体管和作为主开关器件的P+N-P晶体管组成。 2.7.4 IGBT的主要参数 * 擎住效应或自锁效应： IGBT往往与反并联的快速二极管封装在一起，制成模块，成为逆导器件 。 ——最大集电极电流、最大集射极间电压和最大允许电压上升率duCE/dt确定。 反向偏置安全工作区（RBSOA） 正偏安全工作区（FBSOA） 动态擎住效应比静态擎住效应所允许的集电极电流小。 擎住效应曾限制IGBT电流容量提高，20世纪90年代中后期开始逐渐解决。 ——NPN晶体管基极与发射极之间存在体区短路电阻，P形体区的横向空穴电流会在该电阻上产生压降，相当于对J3结施加正偏压，一旦J3开通，栅极就会失去对集电极电流的控制作用，电流失控。 ——最大集电极电流、最大集射极间电压和最大集电极功耗确定。 2.7.4 IGBT的主要参数 * 2.8 GTO、GTR、MOSFET、IGBT驱动与保护 2.8.1 电力电子器件驱动电路概述 2.8.2 典型全控型器件的驱动电路 2.8.3 电力电子器件的保护 * 使电力电子器件工作在较理想的开关状态，缩短开关时间，减小开关损耗。 对装置的运行效率、可