针对分子动力学的单层石墨烯纳米压痕模拟分析研究.pdfVIP

万方数据 基于分子动力学的单层石墨烯纳米压痕模拟研究 专 业：一般力学与力学基础 硕 士 生：贾 瑞 艳 指导教师：华 军 教授 摘 要 通过分子动力学方法，本文模拟了石墨烯的纳米压痕过程，并对其模拟结果 进行了分析。 首先介绍石墨烯这一新型材料的研发现状及纳米压痕技术的发展背景，其次 简述分子动力学基本思想及模拟的基本步骤，并对选择势函数及运动方程的求解 算法加以陈述。基于以上理论，建立单层石墨烯纳米压痕模型，用Tersoff 势函数 描述金刚石内部原子与石墨烯内部原子间的相互作用，用Lennerd-Jones 势描述压 头原子与石墨烯原子之间的范德华力，用Verlet 算法求解原子的运动方程。本文 研究了石墨烯在纳米压痕过程中的微观变形机制，探究了载荷-位移曲线在不同加 载条件下的变化规律，压头受力和系统势能的变化规律，缺陷石墨烯纳米压痕模 拟的微观变形机制，并对不同缺陷类型的模拟结果进行对比分析，研究了完美/ 缺陷石墨烯纳米压痕过程中的温度效应。 研究表明，石墨烯临界载荷与压头半径有密切的关系：压头半径越大，临界 载荷越大，相应的压入深度也越大；薄膜半径越大，临界压入深度越大，但临界 载荷相差不大。在一定的取值范围内，压头的加载速率越大，它的临界载荷越大， 相应的压深越小。当加载速度大于0.05 nm/ps 时，加载速度对压痕曲线有显著影 响，而当加载速度小于该值时，压痕曲线变化较小。对缺陷石墨烯而言，单/双空 位缺陷距离薄膜中心越近，相应的临界载荷越小；同时，不同双空位缺陷中石墨 烯薄膜的载荷-位移曲线呈现不同的变化规律。单个SW 缺陷基本不影响薄膜的力 学性能和变形破坏机制。温度对单层石墨烯的载荷-位移曲线有一定的影响。 关键词：石墨烯 纳米压痕 分子动力学模拟   万方数据 Investigation of a Single-Layer Graphene under Nanoindentation Based on the Molecular Dynamics Simulation Major ：Engineering Mechanics Master ：Ruiyan Jia Supervisor：Prof. Jun Hua ABSTRACT Molecular dynamics simulations are carried out on the nanoindentation process of monolayer graphene, and the results are illustrated in this paper. Firstly, the thesis describes the development of the new material-graphene and the background of current nanoindentation technology briefly. Secondly, the basic idea of molecular dynamics and the basic steps of simulation are introduced,