2015叶辉老师课件.PPTVIP

浙江大学光电信息系 集成光电子器件及设计第四章 * 6.3 光集成的形式：单片集成 在半导体衬底上，只经过制作工艺，把所有元器件集成在一起。 PIC和OEIC：所有的光/电子器件/电路，经过晶体生长、光刻、刻蚀、成膜等制作工艺获得。 电子集成 光集成 材料 单一材料 多种材料(无源器件：SiO2,LN,LT,Nb2O5,Ta2O5,Si) (有源器件：III-V, II-VI, Si等) 集成密度 相当高 受以下因素影响：波导尺寸，元件尺寸（弯曲、定向耦合器等），光线直径 信号出入端 电连接 光线对准：对准与接触均困难 浙江大学光电信息系 集成光电子器件及设计第四章 * 6.3 光集成的形式：混合集成 用不同的制作工艺制成一部分元器件以后，再装在半导体衬底上或光学晶体衬底上。 双向光通讯用收发器： 半导体激光器和光探测器：半导体芯片 光波导基础光路：石英芯片 电路：硅衬底 分别选择合适的材料、工艺制作 浙江大学光电信息系 集成光电子器件及设计第四章 * 双异质结激光器 量子阱激光器 量子线激光器 量子点激光器 1载流子的量子限制 2增加参与跃迁的载流子数目 3降低阈值电流(1μA)，提高增益 4阈值电流受温度影响程度随着量子限制的增加而减弱 5…. 浙江大学光电信息系 集成光电子器件及设计第四章 * 4.1.5垂直腔面发射激光器(VCS