AlN成核层厚度对Si上外延GaN的影响.PDFVIP

AlN 成核层厚度对 Si 上外延 GaN 的影响 1 1* 1 1 2 1 1 2 邓旭光 ,韩军 ,邢艳辉 ,汪加兴 ,范亚明 ,陈翔 ,李影智 ,朱建军 (1.北京工业大学光电子技术省部共建教育部重点实验室,北京 100124 ； 2. 中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所纳米器件与应用重点实验室,江苏苏州215123) 摘要：采用低温 AlN 成核层在 Si(111)衬底上用金属有机化学气相沉积(MOCVD)设备 生长了 GaN 薄膜。采用高分辨 X 射线衍射、椭圆偏振光谱仪和原子力显微镜研究了 AlN 1 成核层的厚度对GaN 外延层的影响。对AlN 的测试表明 ，AlN 的表面粗糙度随着厚度增加 v 2 6 而变大。对 GaN 的测试表明，所有GaN 样品在垂直方向处于压应变状态 ，并且随AlN 厚 0 0 度增加而略有减弱。GaN 的(0002) ω扫描的峰值半宽(FWHM)随着A