地铁逆变和辅助逆变igbt模块测试系统.pdfVIP

机车用大功率I g b t 模块测试系统 一. 前言： 现今 Power MOSFET(金属氧化物场效晶体管)及 IGBT 已成为大功率元件的主流，在市场上居于主导 地位。由于科技进步，电力电子装置对轻薄短小及高性能之要求 ,带动MOSFET 及 IGBT 的发展，尤其 应用于电气设备、光电、航天、铁路、电力转换等领域，使半导体开发技术人员在市场需求下， 对大功率元件的发展技术，持续在突破。 半导体元件除了本身功能要良好之外，其各项参数能否达到电路上的要求，必须定期测量，否则 产品的质量特性很难保证，尤其是较大的功率元件，因具有耗损性，易老化及效率降低，因不平衡导 致烧毁，所以对新产品及使用中的元件参数的筛选及检查更为重要。 半导体元件的每一个参数，依其极性的不同，都须要一个独特的测量电路，西安佰人科技有限公司 所设计生产的半导体元件自动测试系统(BR3500)，具有一组继电器形成的矩阵电路，依每个参数的定 义，形成千变万化的电路，再依元件的出厂规格加上额定的电流或电压后，在极短的时间内将所须要 的数据量测出来，且有些参数从量测的数据经快速运算即可得知其特性是否在规定范围内。 二. 半导体元件可测试种类： 虽然MOSFET 及 IGBT 等 MOS 元件已逐渐取代以往传统的SCR 及双极晶体管，但目前市场上还有在使用。 所以，测试半导体元件的测试仪器，须能提供多种参数的测试能力。西安佰人科技有限公司所设计生 产的半导体元件自动测试系统(BR3500)具备下列测试能力： ☆可单机独立操作，测试范围达 2000V及 50A。 ☆外接大电流扩展装置，检测范围可扩展 1250A。 BR3500 半导体元件测试参数表 绝缘栅双极大功率晶体管 IGBT 测试参数名称 电压范围 电流范围 分辨率 精度 (1) (2) (2) ICES 0.10V to 999V(2KV) 100nA(20pA) to 50mA 1nA(1pA) 1%+4nA+20pA/V (3) (2) (2) I 0.10V to 20V(80V) 100nA(20pA) to 3A (1%+200pA+2pA/V) GESF I GESR (1) BV 0.1V to 450V( 900V) 100μA to 200mA 1mV 1%+100mV