新祥旭考研辅导学校-2016年清华大学微电子系电子科学与技术考研经验分享.docVIP

2016年清华大学微电子系电子科学与技术考研经验分享 很高兴，也很庆幸自己被微电所录取，这一路走来，看的辛酸、太多的舍弃，最终还是换来了自己要想的成果。作为考研的过来人，深知考研之不易，考清华微电子之特不易。我也一直在关注的考研的动态，现在就分享一下我的考研经验，并结合我在清华学习的经历说说考研应该注意的事项。831半导体物理 、器件及集成电路，所以呢，专业课复习，难度还是比较大的，各个板块需要均衡复习。下面就分各科为大家分享一下自己的复习经验。 一 半导体物理:最重要的是基本的概念，基本的推导，基本图像的解释，各种能带图的画法，概念要懂，推导要熟，考试时有少量计算，要是概念清楚都不难。半导体对初学者不太 好懂，但是自己要是把其中基本的推导推上3遍，（一定要自己动手推），上考场至少这门应该很有信心了。前八章中的推导比较多，有印象的主要有电子空穴有效 质量，速度，加速度的推导，状态密度，PN结中的电流的推导，爱因斯坦等式等等等。其中求倒格子不会也行。七八章和器件联系较紧，在器件中再说。第九章会画异质结能带图就行，考计算的没见过，第十到十二章要注意几点:光生载流子和连续性方程结合，光电增益，有光生伏特有关的概念和计算，利用HALL LAW计算各种参数。第十三章非晶态不要求。每章的具体重点见清华本科生的笔记。二 器件基本要求同上，应该说张莉老师的课件很好，好懂，概念清楚，很详细，要是把上面的东西都搞懂了，考试可以保证这部分不丢分。所以有可能弄到这课件那就太幸 运了。就弄到要注意的几点:BJT,MOS的中低频，高频等效电路及其中的各种参数的计算;就近几年考试题来看，BJT的参数计算较少，考概念较多***特别提醒:MOS能带图；C~V特性及图像；sah方程的推导及运用；会数形结合，从图像中提取参数，MOS的一系列二级效应；等等。每年必考，主要是因为MOS电路已经成为集成电路的主流，是模电和数电的基础。说明:以上两门不在于看什么书，书上的东西要懂要全就好，有内部资料那就事半功倍。刘恩科的半导体还是很不错的，没顾祖毅的也行，器件就看课件就好，我看过一阵子的亢宝位的书，推导太多，很难懂。三 模电 RAZAVI模电现在感觉最基础最重要的还是小信号等效电路图，因为有些结论你记不住还可以有一个最基本的工具可以自己推。前五章是基础，MOS电路三中最基本的组态 加上共源共栅，这其中的基本的参数最好都会推而且要记住，因为第六章之后在很多地方这些结论拿来就用，你记不住的话，看书会有些不爽。第七章的噪声没单独 考过，但基本的噪声源的种类和等效还是要知道的，复试有可能被问到，我就被余志平问到了，哈，那时感觉这东东不重要，也没时间看，所以就被问傻了。第八章 的反馈一般会和其他章节结合考。第九章运放的各种参数的求法要会，简单的二级运放考得比较多。后面的章节第十二章要注意一下。十三，十四，十五感觉考的可 能性不大，而时间有限，就没看。所以说考清华既是心智,体力又是勇气的较量。其后的一些二级效应应该在器件中好好理解。回头过来看，运放（op）应该是模电的核心内容，它的基本结构（四种基本结构+差分+反馈），它的基本参数（有一二十个吧），它 的性能参数，稳定性问题，他的基准源的产生，都得知道，重要的参数会计算。我觉得这个是不会集合在一起考的，那样的话就太难了，但单项考还是很有可能的。 复习时你可以通过这根线将所有的模电知识联系起来。再说一点，考试要动手做的，你不做题，看的怎么都是假的！RAZAVI真是个好人，把课后的题都做了，当然是全英文的哈，我有电子版的，还打印出来过，可是题太多了，只能挑几个作了。四数电??周润德这个得好好说一下，因为这个只要方法对的话，很容易得分，不对的话，那就很容易丢分。现在回头看，其实数电是最简单的，也许是我上了周润德老师的课，他讲 的太好太透彻的原因，（如果你有机会上清华的话，一定要选学他的课，真是不错！）但是在我考研时，我觉得那本书的内容太多了，有的内容根本不懂，现在看来 也是，那些东西太专业，没有时间也没有必要看。下面是我当时的理解：当时数电我学得不好，考的特不好，按我理解，觉得延时和功耗是数电中的一对矛盾，正是他们之间的折衷和改进推动数字 电路的发展，所以每年延时和功耗必考其一。数电（二值逻辑，mos工作在开关状态下）的基本单元可以做得很标准，（跟模电不同）所以它可以很容易上升到系 统级进行设计，这是电路的时序就变得很重要，如果算上传输线的延时，这问题就变得很麻烦。今年复试就有这样一道题，15分，我没搞定。当然，数电中的各种 逻辑单元和存储单元都要会了。再加一句，数电中考系统的没见过，各种基本的逻辑单元和存储单元考得较多，因为他们是搭建复杂数字电路的基础，而清华就考你基础。仅从考试的角度来说，数电中的概念不太好考，计算相对较多，书上哪儿公式