电镀金属与多孔矽超晶格介面整合中电镀时间与电镀电流大小之研究.PDF

國立臺北大學電機工程學系專題報告 電鍍金屬與 多孔矽超晶格介面整合中 電鍍時間與電鍍電流大小之研究 The Study of Electro-Plating Research on Porous Silicon Superlattices 組員：李敬賢 指導老師：林嘉洤 老師 執行期間：2015 年7月至 2016 年6月 1. 摘要 面形成一層黑色薄膜，也就是現在所謂的 主要探討矽基材發光材料－多孔矽超 「多孔矽(Porous Silicon,PS) 」。1984 年， 晶格，在電鍍法的精進研究。本研究是在 Pickering提出[2] ：在室溫下，多孔矽具有 不同電鍍實驗參數下，採用即時電鍍的方 光致發光的現象，且其激發光的波長和強 式，於蝕刻後加入電鍍液直接進行電鍍， 度會隨著實驗時間、定電流密度以及實驗 並觀察其在不同電鍍參數下之 IV曲線變 溶液濃度的不同而有所改變，不過當時並 化，包括電鍍時間與電鍍電流大小之研究。 沒有理論解釋此現象。一直到 1990 年， 其研究結果將有助於多孔矽超晶格的金屬 Chaham 等人[3]發現多孔矽具有光致發光 接觸介面改善的提升。 [4]與電激發光[5]之特性，他們利用電化學 蝕刻的方式，得到近似於量子線的微細結 關鍵字：多孔矽、超晶格、電化學蝕刻、 構，且在室溫下，以藍色跟綠色之雷射光 Ｎ型矽晶圓、即時電鍍 照射多孔矽，其激發出可見波段之橘紅光， 因此他們以量子侷限模型 [6]-[9]來解釋這 2. 簡介 樣的現象。 矽 (Silicon)是近代半導體工業中最為 在 1991 年，Axel Richter利用多孔矽的 廣泛使用的主要原料，隨著科技不斷地進 電激發光特性 [10] ，成功研製出多孔矽發 步，與矽相關之特性研究與製程技術，已 光二極體，使多孔矽突破直接能隙無法發 發展至一定程度與水準，但就單晶矽而言， 光之缺點。此外，最近有學者提出「超晶 由於其為非直接能矽，且其能隙為 1.12eV ，格(Superlattice) 」的概念[11]-[12] ，使電子 使得單晶矽的發光效率並不理想，僅能發 可以有更好的量子侷限更可以有良好的發 出不可見之紅外光，因此無法普遍地被應 光特性。但，由於多孔矽與金屬介面不容 用。 易製作良好，本研究特就電鍍方法進行更 直到1956 年，在美國貝爾實驗室 深入的研究與改善。 的 Uhlir 以氫氟酸溶液對矽晶片進行電解 拋光(electroploishing)研究時 [1] ，發現其表 頁 1 / 5 3. 專題進行方式 主要是以開會討論之形式進行，本 研究之專題生每個禮拜都會與老師開 會討論當前研究之進度、實驗參數設計 或是實驗進行碰到的困難等等 ，至於人 員配置與職責部份，由本人全權負責與 執行。 時程規劃的部份，專題 (一)期間主 要是閱讀大量國內國外之相關研究論 文為主，其次是實驗方向評估與實驗參 圖一：鐵氟龍蝕刻槽裝置示意圖 數設計，也在這段期間內與指導老師進