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碳化硅非线性导电特性的研究进展-电力设备电气绝缘国家重点试验室
60 郭 磊等 : 碳化硅非线性导电特性的研究进展 绝缘材料 2005 No. 3
碳化硅非线性导电特性的研究进展
郭 磊 , 宁叔帆 , 于开坤 , 李红岩 , 赵丽华 , 刘 斌 , 陈寿田
(西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室 , 陕西 西安 710049)
摘要 : 综述了碳化硅非线性导电特性的意义和碳化硅材料的特性、非线性导电特性的测试及计算方法, 讨论了 α- SiC 和
- SiC 的非线性导电特性及其影响因素。前人研究结果表明,对于 α- SiC ,颗粒越粗 , 电阻率 0 越低、非线性系数 越大 ;
β ρ β
颗粒越细 , 电阻率 0 越高、非线性系数 越小 ; 不同种类 , 不同工厂生产的碳化硅的电阻率 0 和非线性系数 是不同的 ;
ρ β ρ β
α
- SiC 制成防晕带后电阻率升高 , 值下降 , 颗粒越粗 , 值下降越大 ; 防晕带与粉料的非线性性质有相似的规律, 而 -
β β β
SiC 具有比 α- SiC 低得多的电阻率和较大的非线性系数 ,并且其电阻率和非线性系数受到粉料的粒径、合成温度和涂层有
机物含量等因素的直接影响。
关键词 :碳化硅 ; 电阻率;非线性系数 ;应用
( )
中图分类号: TM303 文献标识码 :A 文章编号 :1009 - 9239 2005 03 - 0060 - 05
Study progress of sil icon carbide non- l inear property
GUO L ei , NiIN G S hu-f a n , YU Kai- kun ,
L I Hon - a n , ZHAO L i- hua , L IU Bi n , CH EN S hou- tia n
g y
( S t ate Ke L aborator o Elect rical I ns ul ation or Pow er E ui ment ,
y y f f q p
Xi ’ an J i ao Ton g U ni versity , Xi ’ an 710049 , Chi na)
Abstract : The p urp os e of s
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