第一讲 功率器件工作原理.ppt

第1章第*页 4. 最高工作结温TJM 结温是指管芯PN结的平均温度，用TJ表示 最高工作结温是指在PN结不致损坏的前提下所能承受的最高平均温度，功率硅二极管的TJM通常在125~175?C范围之内 5. 反向恢复时间trr trr= td+ tf ，关断过程中，电流降到0起到恢复反向阻断能力止的时间 6. 浪涌电流IFSM 指功率二极管所能承受最大的连续一个或几个工频周期的过电流。该值比二极管的额定电流要大得多。实际上它体现了二极管抗短路冲击电流的能力。 第1章第*页 1.4 功率二极管的主要类型 1. 普通二极管（General Diode） 又称整流二极管（Rectifier Diode） 多用于开关频率不高（1kHz以下）的整流电路中 其反向恢复时间较长，一般在5?s以上，这在开关频率不高时并不重要 正向电流定额和反向电压定额可以达到很高，分别可达数千安和数千伏以上 第1章第*页 2. 快恢复二极管（Fast Recovery Diode—— FRD） 恢复过程很短特别是反向恢复过程很短（5?s以下）的二极管，也简称快速二极管 工艺上多采用了掺金或辐射技术 有的采用PN结型结构 有的采用改进的PIN结构 第1章第*页 采用外延型PIN结构的的快恢复外延二极管（Fast Recovery Epitaxial Diodes——FRED），其反向恢复时间更短（可低于50ns），正向压降也很低（0.9V左右），但其反向耐压多在400V以下 从性能上可分为快速恢复和超快速恢复两个等级。前者反向恢复时间为数百纳秒或更长，后者则在100ns以下，甚至达到20~30ns。 第1章第*页 二极管杂质分布 第1章第*页 3. 肖特基二极管 以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管称为肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode——SBD），简称为肖特基二极管 20世纪80年代以来，由于工艺的发展得以在电力电子电路中广泛应用 肖特基二极管的优点 反向恢复时间很短（10~40ns） 正向恢复过程中也不会有明显的电压过冲 在反向耐压较低的情况下其正向压降也很小，明显低于快恢复二极管 其开关损耗和正向导通损耗都比快速二极管还要小，效率高 第1章第*页 肖特基二极管的弱点 当反向耐压提高时其正向压降也会高得不能满足要求，因此多用于200V以下 反向漏电流较大且对温度敏感，因此反向稳态损耗不能忽略，而且必须更严格地限制其工作温度 第1章第*页 常用功率二极管特性比较 IF (A) VF （V） 管芯尺寸 (mils2) Vr （V） Tj （°C) 高温漏电流Ir (mA) Trr(typ) 普通二极管 60EPS16 60 1.07 /60A 230X350 1600 150 1 /150 °C 快恢复二极管 60EPF12 60 1.4 /60A 230X350 1200 150 8 /150°C 95nS 超快恢复二极管 HFA50PA60C 50 2.0 /50A 169X220 600 150 2 /125°C 23nS 肖特基二极管 60CPQ150 60 0.99 /60A 185X185 150 175 25 /125°C 第1章第*页 常用功率二极管特性测试程序 测试项目 室温(25±2°C) 内控 偏置 漏电流 Ir -10% 标称耐压 击穿电压VB +3% 10mA 正向压降Vr -1% 标称导通电流 图1-5 稳压二极管的电气图形符号(a)和伏安特性(b) * 电力电子器件基础 第1章第*页 电力电子器件概述 第一讲 功率二极管 第二讲 功率晶体管 第三讲 晶闸管 第四讲 功率MOS器件/IGBT 第五讲 半导体器件的塑料封装 第1章第*页 电力电子器件概述 主要内容： 简要概述电力电子器件的概念、特点和分类等问题 介绍各种常用电力电子器件的工作原理、基本特性, 主要参数以及选择和使用中应注意的一些问题 第1章第*页 1 电力电子器件的概念和特征 2 电力电子器件的分类 第1章第*页 1 电力电子器件的概念和特征 主电路（main power circuit）——电气设备或电力系统中，直接承担电能的变换或控制任务的电路 电力电子器件（power electronic device）——可直接用于处理电能的主电路中，实现电能的变换或控制的电子器件 第1章第*页 广义上电力电子器件可分为电真空器件和半导体器件两类。 自20世纪50年代以来，真空管仅在频率很高（如微波）的大功率高频电源中还在使用，而电力半导体器件已取代了汞弧整流器（Mercury Arc Rectifier）、闸流管（Thyratron）等电真空器件，成为绝对主力。因此，电力电子