化硅薄膜中纳米非晶硅颗粒的键合结构及光致发光.pdfVIP

第 57 卷 第 6 期 2008 年 6 月 物 　理 　学 　报 Vol . 57 ,No . 6 ,June ,2008 ( ) 10003290200857 06 366105 ACTA PHYSICA SINICA 2008 Chin . Phys. Soc . 氮化硅薄膜中纳米非晶硅颗粒的键合结构 及光致发光 于 　威 　李亚超 　丁文革 　张江勇 　杨彦斌 　傅广生 (河北大学物理科学与技术学院 ,保定 　071002) (2007 年 9 月4 日收到 ;2007 年 10 月 24 日收到修改稿) 　　采用螺旋波等离子体化学气相沉积技术以N SiH H 为反应气体制备了镶嵌有纳米非晶硅颗粒的氢化氮化 2 4 2 硅薄膜 ,通过改变 N2 流量实现了薄膜从红到蓝绿的可调谐光致发光. 傅里叶红外透射和紫外可见光吸收特性分 析表明 ,所生长薄膜具有较高的氢含量 ,N2 流量增加使氢的键合结构发生变化 ,非晶硅颗粒尺寸减小 ,所对应的薄 ( ) 膜的光学带隙逐渐增加和微观结构有序度减小. 可调光致发光 PL 主要来源于纳米硅颗粒的量子限制效应发光 , 随N2 流量增加 ,PL 的谱线展宽并逐渐增强. 关键词 : 傅里叶红外透射谱 , 光吸收谱 , 纳米硅粒子镶嵌薄膜 , 光致发光 PACC : 6146 , 5275R , 7865 , 7855 于纳米硅量子限制效应发光. 然而由于存在大量的 1 引 言 非辐射复合缺陷 ,薄膜的发光的效率较低 ,限制了薄 膜的作为光电器件的进一步应用研究 ,因此 ,调整薄 由于载流子的限制效应 ,纳米硅结构的带隙将 膜微观结构 ,探索提高纳米硅氮化硅薄膜发光效率 显著增加 ,其辐射跃迁概率也将显著增大 ,所展示的 的有效方法成为该材料研究的关键问题. 本工作以 强的室温可见发光使其在光电子器件方面具有极大 N SiH H 作为反应气体 ,利用螺旋波等离子体化 2 4 2 的应用价值. 因此 ,纳米硅结构的制备和发光特性的 ( ) 学气相沉积技术 HWPCVD 制备了纳米硅氮化硅 研究一直受到人们的关注. 迄今为止 ,许多纳米硅结 薄膜 , 同时对所沉积薄膜在氢气中进行低温退火处 构的制备及发光特性研究大多局限于多孔硅和镶嵌 理 ,得到了来源于量子限制效应的纳米硅镶嵌结构 氧化硅中纳米硅等少数纳米硅系统[ 1 ,2 ] . 作为纳米硅 薄膜的可调光致发光 ,并主要对薄膜的微观结构和 ( ) 键合特性进行了分析. 的镶嵌介质 ,氮化硅 SiNx 具有和氧化硅接近的临 (