避免FM讯号灵敏度劣化Desense之防治措施以MT6616平台为例.pdfVIP

由[1-3]可知，对于数字讯号而言，会利用电阻来做阻抗匹配，而串联终端电阻 的位置，需靠近讯号起源处，然而可能因走线过长，导致其阻抗又有所偏移，因 此为保险起见，在靠近I2S 跟GPIO 处，均需添加330 奥姆的串联终端电阻，确 保其阻抗不会偏掉，如下图[4] : 否则有可能会使波形有所失真，且辐射噪声变强，如下图[1-3] : 1 而不管是Decoupling 电容，或是Bypass 电容，其GND Pad 都应该直接下Main GND， 而不要在表层走一段GND Trace 后，再下Main GND[1-3] 。 因为任何导线，都有其寄生电感，倘若采上图走法，多走的GND Trace，会增加 其Decoupling 电容跟Bypass 电容的寄生电感值，使其谐振频率往低频方向移动， 亦即其频率响应会与预期有所落差，导致稳压跟滤波的效果不如预期，如下图 [5] : 2 同时由[6-7]可知，辐射场强的公式如下 : f 是频率，L 是其导体长度，r 是辐射源与Receptor 的距离，IC 是电流强度。换 言之，多走的GND Trace，会使回路面积变大，以致于EMI 辐射干扰变大。若不 得已需在表层走一段GND Trace，至少其GND Via 需打多一点，因为由[1-3]可知， 落地电容的目的，是要提供噪声一个低阻抗的路径，如下图: 3 而由[8]可知，任何灌孔都有其等效电阻，而电阻是越并越小，倘若GND Via 打 得太少，则此时表层GND Trace 的阻抗不够低，亦即流到Main GND 的噪声份量 会减少，而由[6-7]可知，任何金属若没接地，就是辐射体，且辐射效率与金属 的尺寸大小正