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第二章晶体的形成
第二章 晶体的形成 一、晶体形成的方式 形成晶体的作用,称为结晶作用。晶体的形成过程就是 由任一种物相转变为结晶固相的过程。晶体有下列四种主要 形成方式: (1)由液相→结晶固相。 (2)由气相→结晶固相。 例如 火山喷出硫蒸气,在火山口附近因温度降低而结晶出自然硫晶体; 水蒸汽遇冷凝结雪花。 (3)由非晶质固相→结晶固相。 自然界的非晶质固相物质 例如 火山玻璃 →石英、长石的微晶(晶化或脱玻化); 非晶质胶体矿物蛋白石→隐晶质玉燧 →石英晶体。 (4)由一种结晶固相→另一种结晶固相。 ①同质多象转变。如石墨(C) 金刚石(C). ②再结晶。如石灰岩(细粒方解石) 大理岩(粗粒方解石). 二、晶核的形成(晶体的发生) ②晶体的成长。 晶核(亦称晶芽): 是晶体生长最原始的胚胎(生长 点), 是极微小的微晶粒,是晶体成长的中心。 外来晶核,非自成的。例如人工合成水晶,就是在溶液 中放入一个石英晶粒(籽晶)作为晶核。 当过冷却或过饱和度很高时,产生的晶核数目多; 反之则少. 三、晶体的成长 实际上是晶核形成后,质点按格子构造规律在晶 核上不断地堆积过程。 晶体生长的两种主要理论: 1. 层生长理论: 要讨论的关键问题是: 在一个面尚未生长完全前, 在这一界面上找出最佳生长位置。 图表示质点往晶芽上堆积时,在其表面只有三种可能的堆 积位置1、2和3, 分别称为三面凹角、两面凹角和一般位置.每 种位置上因成键数目不同, 新质点就位后的稳定程度亦不同。 因此,最佳生长位置是三面凹角位,其次是两面凹角位, 最不容易生长的位置是平坦面。 这样,最理想的晶体生长方式就是:先在三面凹角上生长 成一行,以至于三面凹角消失,再在两面凹角处生长一个质 点,以形成三面凹角,再生长一行,重复下去。 层生长过程 结论: 晶体在理想情况下生长时, 一旦有三面凹角存在, 质点则优先沿三面凹角位置生长一条行列;而当这一条行列 长满后, 就只有两面凹角了, 质点就只能在两面凹角处生长, 这时又会产生三面凹角位置, 然后将重复上述过程生长相 邻行列; 在长满一层面网后, 质点就只能在任意的一般位 置上生长,接着就会有两面凹角产生, 随后又会有三面凹角 的形成 , 再开始生长第二层面网。晶面 (最外层面网) 是 平行向外推移生长的。这就是晶体的 层生长理论 。 层生长理论可以解释如下一些生长现象: (1)晶体的自限性— 晶体常生长为面平、棱直的几 何多面体形态。 (2)晶体断面上的环带构造— 各个环带代表了在晶 体成长的不同阶段中,由于介质性质或环境条件的某种变化, 在晶体内留下的当时晶形轮廓的痕迹。它表明晶体是平行向 外推移生长的。 (3)面角守恒定律— 由于晶面是向外平行推移生长 的,所以同种矿物不同晶体上对应晶面间的夹角不变。 (4)生长锥或沙钟构造— 晶体由小长大, 许多晶面 向外平行移动的轨迹形成以晶体中心为顶点的锥状体。 实际晶体生长也可能一层还没有完全长满,另一层又开始生长了,这叫阶梯状生长,最后可在晶面上留下生长层纹或生长阶梯。 阶梯状生长是属于层生长理论范畴的。 总之,层生长理论的中心思想是:晶体 生长过程是晶面层层外推的过程。 但是,层生长理论有一个缺陷:当将这一界面上的所有最佳生长位置都生长完后,如果晶体还要继续生长,就必须在这一平坦面上先生长一个质点,由此来提供最佳生长位置。这个先生长在平坦面上的质点就相当于一个二维核,形成这个二维核需要较大的过饱和度,但许多晶体在过饱和度很低的条件下也能生长,为了解决这一理论模型与实验的差异,弗兰克(Frank)于1949年提出了螺旋位错生长机制。 有什么现象可证明螺旋生长理论? 这两个理论有什么联系与区别? 联系:都是层层外推生长; 区别:生长新的
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