射线及伽马射线探测用CZT材料的研制与应用 介万奇 西北工业大学.doc

PAGE \* MERGEFORMAT 11 X射线及伽马射线探测用CZT材料的研制与应用 介万奇 西北工业大学材料学院 摘要 CZT是近年来室温条件下工作的X射线及伽马射线探测技术发展的重点材料。本文介绍了作者所在的课题组近年来在该材料制备技术、表征和应用方面的研究进展。基于数值模拟结果，将Bridgman法与掺杂技术相结合获得了探测器级CZT晶体；分别获得了Zn以及杂质元素的偏析规律，进而讨论了Te与标准化学计量比的偏离规律；对其典型的b2011位错密度测试结果表明，其密度为104~105 cm-2。对CZT晶体中的点缺陷浓度进行了热力学计算和间接测定，获得了具有参考价值的结果。获得的晶体电阻率达到1010 ? cm以上，载流子迁移率与寿命积达到2×10-3 cm2·v-1·s-1，满足CZT探测器制备的要求。采用CZT晶体HYPERLINK mailto:制备的平面电极CZT探测器对241Am@59.5keV制备的平面电极CZT探测器对241Am@59.5keV能谱分辨率达到4.7%，对137Co@662keV的能谱分辨率达到2.1%。 关键词：碲锌镉（CZT），晶体生长，成分偏析，位错，沉淀相，点缺陷，电学性能，探测器 前言 X射线和γ射线探测技术已经成为环境监测、医学诊断、工业无损检测、安全检查、核技术、天文观测以及高能物理等领域的一项关键技术。其核心探测器件已经经历了气体探测器、闪烁体探测器和半导体探测器三代器件。其中气体探测器因其体积大，探测效率低，逐渐被闪烁体探测器和半导体探测器所取代。 半导体探测器作为第三代探测器具有分辨率高，装置简单等优点。目前较为成熟的半导体探测器主要有硅（Si）探测器和高纯锗（Ge）探测器。由于Si的原子序数低，对能量大于20KeV以上的射线探测效率低，而Ge的禁带宽度小，必须在液氮温度以下才能正常工作，因此限制了其使用范围。 近年来，化合物半导体Cd1-xZnxTe（简称为CZT）探测器受到人们的高度重视[1-5]，这是因为：（1）与其他半导体材料相比，CZT材料原子序数大，因而探测效率更高；（2）CZT探测器可以在室温下工作，省去制冷系统，体积较小，使用更加方便；（3）CZT探测器最佳探测射线的能量范围为20～800keV，在此波段范围比传统辐射探测器具有十分明显的优势。 对于不同能量的射线探测，其综合探测性能最佳的优选材料如图1所示。其中，在能量范围为20～800keV的期间，包含了一系列重要的应用技术。 可见光紫外光软X射线 可见光 紫外光 软X射线 硬X射线 γ射线 高能γ射线 图1 目前不同能量射线的优先选择的探测器材料 可以看出CZT探测材料与技术在Ｘ射线和伽马射线探测技术领域具有重要的应用背景。然而，高能射线分析对CZT晶体材料的性能具有非常苛刻的要求，必须对晶体的结构缺陷，特别是点缺陷、位错、杂质和沉淀相进行严格而精确的控制，才能获得满足性能要求的材料[6-10]。 本文将重点介绍作者所在团队在CZT晶体材料及其探测器技术方面的研究进展。 探测器用CZT单晶的晶体生长 晶体生长是获得所需要的单晶材料的核心技术，目前已有多种方法应用于CZT晶体材料的生长，如高压Bridgman法，常压Bridgman法，Te溶剂法，THM法等。我们选用常压Bridgman法进行CZT的晶体生长。首先提出了一种综合考虑对流、溶质扩散和热传导的数值计算方法，模拟了Bridgman法晶体生长过程中的温度场、对流场和溶质浓度场及其在晶体生长过程中的演变规律，其中典型计算结果的实例如图2所示[11]。以此为基础，进行了晶体生长工艺的优化。在晶体生长速率为0.5~1.5mm/hr，温度梯度为20K/mm的条件下，经过大量实验掌握了生长直径为60mm晶体的生长技术。所生长的晶体典型照片如图3(a)所示。通过定向和非定向加工工艺获得不同规格和尺寸的CZT晶片，如图3(b)所示。 图2　CZT晶体Bridgman法晶体生长过程多场耦合计算结果[11]。 (a) 对流场，(b)温度场，(c)溶质(Zn)浓度场 (a) (b) 图3　Bridgman法生长的60mmCZT晶体(a)及其由此加工的晶片(b) 成分是决定CZT晶体性能的主要因素，而晶体生长过程则是引起成分偏析的关键环节。我们对生长态CZT晶体中的成分偏析进行较为系统的研究。CZT晶体中的成分偏析可以概括为3个方面，即Zn的偏析、杂质偏析和Te的偏析。 CZT晶体的化学式可以写为Cd1-xZnxTe，即CZT可以视为是CdTe和ZnTe形成的固溶体。因此，Zn的偏析可以用x值的变化规律来描述，是一种常见的偏析形式。对应Bidgman法晶体生长过程，可以近似用Pfann方程来拟合[12]。Z