N沟道与P沟道MOS管工作原理.pdfVIP

MOS/CMOS 集成电路简介及 N 沟道 MOS 管和 P 沟道 MOS 管 在实际项目中，我们基本都用增强型 mos 管，分为 N 沟道和 P 沟道两种。 我们常用的是 NMOS，因为其导通电阻小，且容易制造。在 MOS 管原理图上可 以看到，漏极和源极之间有一个寄生二极管。这个叫体二极管，在驱动感性负载 （如马达），这个二极管很重要。顺便说一句，体二极管只在单个的MOS 管中 存在，在集成电路芯片内部通常是没有的。 1.导通特性 NMOS 的特性，Vgs 大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况（低 端驱动），只要栅极电压达到 4V 或 10V 就可以了。 PMOS 的特性，Vgs 小于一定的值就会导通，适合用于源极接 VCC 时的情况 （高端驱动）。但是，虽然PMOS 可以很方便地用作高端驱动，但由于导通电 阻大，价格贵，替换种类少等原因，在高端驱动中，通常还是使用 NMOS。 2.MOS 开关管损失 不管是 NMOS 还是 PMOS，导通后都有导通电阻存在，这样电流就会在这个 电阻上消耗能量，这部分消耗的能量叫做导通损耗。选择导通电阻小的 MOS 管 会减小导通损耗。现在的小功率 MOS 管导通电阻一般在几十毫欧左右，几毫欧 的也有。 MOS 在导通和截止的时候，一定不是在瞬间完成的。MOS 两端的电压有一个 下降的过程，流过的电流有一个上升的过程，在这段时间内，MOS 管的损失是 电压和电流的乘积，叫做开关损失。通常开关损失比导通损失大得多，而且开关 频率越高，损失也越大。 导通瞬间电压和电流的乘积很大，造成的损失也就很大。缩短开关时间，可以 减小每次导通时的损失；降低开关频率，可以减小单位时间内的开关次数。这两 种办法都可以减小开关损失。 3.MOS 管驱动 跟双极性晶体管相比，一般认为使 MOS 管导通不需要电流，只要 GS 电压高 于一定的值，就可以了。这个很容易做到，但是，我们还需要速度。 在 MOS 管的结构中可以看到，在 GS，GD 之间存在寄生电容，而 MOS 管的 驱动，实际上就是对电容的充放电。对电容的充电需要一个电流，因为对电容充 电瞬间可以把电容看成短路，所以瞬间电流会比较大。选择/设计 MOS 管驱动时 第一要注意的是可提供瞬间短路电流的大小。 第二注意的是，普遍用于高端驱动的 NMOS，导通时需要是栅极电压大于源极 电压。而高端驱动的 MOS 管导通时源极电压与漏极电压（VCC ）相同，所以这 时栅极电压要比 VCC 大 4V 或 10V。如果在同一个系统里，要得到比VCC 大的 电压，就要专门的升压电路了。很多马达驱动器都集成了电荷泵，要注意的是应 该选择合适的外接电容，以得到足够的短路电流去驱动 MOS 管。 2009-03-20 11:18 MOS/CMOS 集成电路 MOS 集成电路特点： 制造工艺比较简单、成品率较高、功耗低、组成的逻辑电路比较简单，集成度高、 抗干扰能力强，特别适合于大规模集成电路。 MOS 集成电路包括: NMOS 管组成的 NMOS 电路、PMOS 管组成的 PMOS 电路及由NMOS 和 PMOS 两种管子 组成的互补 MOS 电路，即 CMOS 电路。 PMOS 门电路与NMOS 电路的原理完全相同，只是电源极性相反而已。 数字电路中 MOS 集成电路所使用的 MOS 管均为增强型管子，负载常用 MOS 管作为 有源负载，这样不仅节省了硅片面积，而且简化了工艺利于大规模集成。常用的 符号如图 1 所示。 N 沟 MOS 晶体管 金属-氧化物-半导体(Metal-Oxide-SemIConductor)结构的晶体管简称 MOS 晶体 管，有P 型 MOS 管和 N 型 MOS 管之分。MOS 管构成的集成电路称为 MOS 集成电路， 而 PMOS 管和 NMOS 管共同构成的互补型 MOS 集成电路即为 CMOS 集成电路。 由p 型衬底和两个高浓度 n 扩散区构成的 MOS 管叫作 n 沟道 MOS 管，该管导通时 在两个高浓度 n 扩散区间形成 n 型导电沟道。n 沟道增强型 MOS 管必须在栅极上 施加正向偏压，且只有栅源电压大于阈值电压时才有导电沟道产生的 n 沟道 MOS 管。n 沟道耗尽型 MOS 管是指在不加栅压（栅源电压为零）时，就有导电沟道产 生的 n 沟道 MOS 管。 NMOS 集成电路是 N 沟道 MOS 电路，NMOS 集成电路的输入阻抗很高，基本上不需 要吸收电流，因此，CMOS 与 NMOS 集成电路连接时不必考虑电流的负载问题。NMOS